[发明专利]一种锡-钼共掺杂二氧化钛纳米管阵列电极及制备方法有效
申请号: | 201710142796.8 | 申请日: | 2017-03-10 |
公开(公告)号: | CN106917128B | 公开(公告)日: | 2019-10-15 |
发明(设计)人: | 孙治荣;麻晓越;王雪云 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | C25D11/26 | 分类号: | C25D11/26;C23F1/26;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人: | 张立改 |
地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 掺杂 氧化 纳米 阵列 电极 制备 方法 | ||
一种锡‑钼共掺杂二氧化钛纳米管阵列电极及制备方法,属于光电催化领域。本发明将锡酸钠(Na2SnO3·3H2O)、钼酸钠(Na2MoO4·H2O)和氟化铵(NH4F)溶解于乙二醇‑水混合溶液中,以钛片为阳极,铂片为阴极,采用两电极体系在钛片表面制备含Sn和Mo的二氧化钛纳米管阵列。在清洗干燥后,放置于马弗炉中高温煅烧制成Sn、Mo共掺杂的二氧化钛纳米管阵列电极(Sn‑Mo‑TiO2‑NTs/Ti)。掺杂后的电极提高了TiO2对可见光的响应能力,实现了在可见光下的光电催化氧化能力。
技术领域
本发明属于光电催化领域,特别涉及一种基于阳极氧化技术的一步法制备锡-钼(Sn-Mo)共掺杂二氧化钛纳米管(TiO2-NTs)阵列电极的方法,该电极可用于环境水体中苯酚的光电催化降解。
背景技术
光电催化是二十世纪末期发展起来的一种电化学辅助光催化的方法,对光电催化的研究源于半导体光催化,这其中以TiO2的研究和应用最为深入和广泛。TiO2具有无毒、催化活性高、氧化能力强、稳定性好、反应条件温和、不产生二次污染、制备材料易得等优点。TiO2禁带宽度为3.2eV,在紫外光下有催化作用,在紫外光辐照下处理废水时,TiO2受光激发后产生光生电子和空穴,由价带空穴诱发氧化反应,由导带电子诱发还原反应,使吸附在空穴表面的水、氧气和OH-生成自由基·OH,能够将有机污染物降解成H2O、CO2等无机小分子。同时,光生电子和空穴之间会发生复合反应,热和光的形式将能量释放。但是,TiO2的禁带宽度也使得其对可见光几乎无响应,限制了其在自然条件下的应用。为此,通过元素掺杂或半导体复合的方法进行改性,减小禁带宽度,增加其对可见光的响应,提高了TiO2的实际应用型。为了减少光生电子与空穴的复合几率,将TiO2催化剂负载于电极板上,并施加外加偏压,形成了光电催化体系,提高了光催化性能。在光电极上施加阳极偏电压可以在电极内部形成一个电势梯度,促使光生电子和空穴向相反的方向移动,加速了它们的分离,增强光电流,提高催化能力。
近些年来,随着光电催化技术的发展,TiO2纳米管及元素掺杂的TiO2纳米管阵列电极得到了大量研究,研究者通过掺杂Fe、Zn、Cu、Ni、Cd等元素及其氧化物,以实现减小TiO2禁带宽度,增强可见光响应能力的目的。但目前研究多采用两步沉积的方法对TiO2纳米管进行掺杂及改性,增加了制备工艺流程,而且目前多种元素共掺杂,尤其对于金属Sn和Mo的共掺杂未见报道。
本发明将待掺杂的Sn、Mo元素加入至电解质溶液中,以Ti片为基体材料,采用一步阳极氧化的方法,在Ti片表面氧化形成TiO2-NTs的同时,将Sn和Mo掺杂在纳米管中,以制备Sn-Mo共掺杂的TiO2-NTs阵列电极,提高了其对可见光的响应能力。
发明内容
本发明提供了一种有较高光电催化反应能力的锡-钼共掺杂二氧化钛纳米管阵列电极,并提供了上述电极的制备方法。
本发明中配制含有Sn和Mo的电解质溶液,以预处理后的Ti片为阳极,在恒定电压下阳极氧化制备锡-钼共掺杂的二氧化钛纳米管阵列电极,记为Sn-Mo-TiO2-NTs/Ti电极。
本发明的制备步骤如下:
(1)将Ti片用砂纸打磨至表面光滑后依次浸入丙酮、异丙醇和无水乙醇溶液中分别超声处理,去除Ti片表面的氧化物和油,然后用去离子水冲洗干净,氮气吹干备用;
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