[发明专利]一种非易失性的可编程pn结存储器有效
| 申请号： | 201710141635.7 | 申请日： | 2017-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN106920851B | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 张增星;李东 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788 |
| 代理公司： | 31290 上海科律专利代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 叶凤<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非易失性的可编程pn结存储器。该器件主要基于双极性半导体材料的物理特性，通过半浮栅场效应晶体管的结构设计，实现控制栅对沟道层的有效调制，使沟道层可以在pn结与非pn结等不同的存储状态之间逻辑变换，具有非易失性可编程可存储的功能。由于pn结与非pn结具有不同的物理性能，因而可以在电子和光电子器件中产生新的应用，拓展传统半导体pn结与浮栅存储器的功能和应用领域。该器件主要结构和功能如下：(1)具有半浮栅场效应晶体管的器件构造；(2)组成沟道层的材料主要为双极性半导体材料，该材料的载流子类型(p型或n型)可以通过电场进行动态调控；(4)为半浮栅结构，即浮栅只覆盖部分沟道层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 非易失性 可编程 pn 结存 | ||
【主权项】：
1.一种具有非易失性可编程可存储的pn结结构，其特征在于，通过设计基于双极性二维晶体的半浮栅场效应晶体管结构，实现利用施加在控制栅上的脉冲电压对器件在pn结与非pn结等不同状态的存储和逻辑变化；/n设计的结构依次为，/n包括电极(1)；/n包括沟道层(2)，位于电极(1)的下层，并采用双极性半导体材料；/n包括上下两个电介质层(3)、(5)；/n包括半浮栅(4)，位于所述两个电介质层(3)、(5)之间，且半浮栅(4)面积小于所述沟道层(2)面积；/n包括控制栅(6)，位于所述电介质层(5)下层。/n
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