[发明专利]一种非易失性的可编程pn结存储器有效
| 申请号： | 201710141635.7 | 申请日： | 2017-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN106920851B | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 张增星;李东 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788 |
| 代理公司： | 31290 上海科律专利代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 叶凤<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 非易失性 可编程 pn 结存 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有非易失性可编程可存储的pn结结构，其特征在于，通过设计基于双极性二维晶体的半浮栅场效应晶体管结构，实现利用施加在控制栅上的脉冲电压对器件在pn结与非pn结等不同状态的存储和逻辑变化；
设计的结构依次为，
包括电极(1)；
包括沟道层(2)，位于电极(1)的下层，并采用双极性半导体材料；
包括上下两个电介质层(3)、(5)；
包括半浮栅(4)，位于所述两个电介质层(3)、(5)之间，且半浮栅(4)面积小于所述沟道层(2)面积；
包括控制栅(6)，位于所述电介质层(5)下层。
2.如权利要求1所述的具有非易失性可编程可存储的pn结结构，其特征在于，半浮栅(4)由一个半浮栅或延伸为多个半浮栅组成。
3.如权利要求1所述的具有非易失性可编程可存储的pn结结构，其特征在于，所述沟道层(2)为双极性半导体，即其载流子类型可以通过外加电场进行调制。
4.如权利要求1所述的具有非易失性可编程可存储的pn结结构，其特征在于，所述器件在pn结与非pn结之间进行逻辑变化，并具有非易失性可存储功能。
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