[发明专利]CP阱偏置方法

摘要

描述了多种方法和系统，用于减小用于利用一个或多个NAND串来执行存储器操作的裸片面积和电路复杂性。在一些实施例中，NAND串可以被安排在p阱之内，所述p阱被物理地短路连接至NAND串的源极侧端。在这种情况下，在存储器操作期间，施加至所述NAND串的所述源极侧端的偏置电压(例如，2.5V)也将可以被施加至所述p阱。所述NAND串的所述源极侧端与所述p阱之间的物理短路可以在制作存储器裸片期间形成，并且可以在所述存储器裸片的操作期间防止所述NAND串的所述源极侧端与所述p阱彼此电绝缘。

主权项

一种装置，包括：NAND串，所述NAND串包括被定位在所述NAND串的源极侧端与所述NAND串的漏极侧端之间的多个存储器元件，所述NAND串被安排在p阱之内；位线，所述位线连接至所述NAND串的所述漏极侧端；以及源极线，所述源极线连接至所述NAND串的所述源极侧端，所述源极线被物理地短路连接至所述NAND串的所述源极侧端并且被物理地短路连接至所述p阱。