[发明专利]用于栅极介电完整性测试的结构在审
| 申请号： | 201710138729.9 | 申请日： | 2017-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN108573888A | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 蒋昊;金秋敏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;刘爱平 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供了一种用于GDI测试的结构，包括：衬底；晶体管，包括位于衬底上的栅极介电层，位于栅极介电层上的栅极，以及位于衬底内的源/漏极；第一金属线、第二金属线和第三金属线，位于栅极上方且位于同一层并相互绝缘地间隔设置；位于第一金属线、第二金属线和第三金属线上方的栅极焊盘、源/漏极焊盘以及衬底焊盘，栅极通过第一金属线连接至栅极焊盘，源/漏极通过第二金属线连接至源/漏极焊盘，衬底通过第三金属线连接至衬底焊盘。由此可见，本发明实施例提供的结构中，栅极、源/漏极和衬底通过同一层的金属线连接至各自的焊盘，可以在该层进行GDI测试，从而减少了GDI测试所依赖的金属线层数，保证了测试效率。 | ||
| 搜索关键词： | 金属线 源/漏极 衬底 焊盘 栅极介电层 衬底焊盘 栅极焊盘 同一层 测试 完整性测试 测试效率 间隔设置 金属线层 栅极介电 晶体管 绝缘 保证 | ||
【主权项】：
1.一种用于栅极介电完整性测试的结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底内设有拾取区；晶体管，包括位于所述衬底上的栅极介电层，位于所述栅极介电层上的栅极，以及位于所述衬底内的源/漏极；位于所述栅极上方的第一金属线、第二金属线和第三金属线，所述第一金属线、所述第二金属线和所述第三金属线位于同一层并相互绝缘地间隔设置；位于所述第一金属线、所述第二金属线和所述第三金属线上方的栅极焊盘、源/漏极焊盘以及衬底焊盘，所述栅极通过所述第一金属线连接至所述栅极焊盘，所述源/漏极通过所述第二金属线连接至所述源/漏极焊盘，所述衬底通过所述第三金属线连接至所述衬底焊盘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
