[发明专利]纳米孪晶铜布线层的制备方法

摘要

本发明提供一种纳米孪晶铜布线层的制备方法，包括步骤1）于基片上制备第一钝化层，并于第一钝化层内形成用于与基片上器件结构互联的互联窗口；2）于第一钝化层表面及互联窗口中形成种子层；3）于种子层表面形成光刻胶层，在光刻胶层内形成定义出纳米孪晶铜布线层形状的图形窗口；4）以图形化处理后的光刻胶层为掩膜，于裸露的种子层表面形成布线铜层；5）将得到的结构进行退火处理。本发明制备方法和现有半导体工艺相兼容，生产效率高，生产成本低，且制备的纳米孪晶铜布线层的力学性能及电学性能优良，热稳定性好，可以大幅度提高布线层的可靠性，且可以大面积地制备，适合当前半导体制造的发展方向。

主权项

一种纳米孪晶铜布线层的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：1)于基片上制备第一钝化层，并于所述第一钝化层内形成用于与所述基片上器件结构互联的互联窗口；2)于所述第一钝化层表面及所述互联窗口中形成种子层；3)于所述种子层表面形成光刻胶层，将所述光刻胶层进行图形化处理，以在所述光刻胶层内形成定义出纳米孪晶铜布线层形状的图形窗口，所述图形窗口贯穿所述光刻胶层以暴露出部分所述种子层；4)以图形化处理后的所述光刻胶层为掩膜，于裸露的所述种子层表面形成布线铜层；5)将得到的结构进行退火处理：将得到的结构所处环境的温度自室温升温至预设温度，升温速率大于5℃/min；在预设温度保温预设时间；自预设温度降温至室温，降温速率大于5℃/min，以得到纳米孪晶铜布线层。