[发明专利]具有集成在同一电介质层中的电容器和金属布线的半导体结构

摘要

描述了具有集成在同一电介质层中的电容器和金属布线的半导体结构。例如，半导体结构包括设置在衬底之中或之上的多个半导体器件。在多个半导体器件上设置有一个或多个电介质层。每个电介质层中设置有金属布线。金属布线电耦合至一个或多个半导体器件。金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器设置在电介质层中的一个中，并邻近所述至少一个电介质层的金属布线。MIM电容器电耦合至一个或多个半导体器件。

主权项

一种集成电路结构，包括：设置在衬底之中或之上的多个半导体器件；设置在所述多个半导体器件之上的第一绝缘蚀刻停止层；设置在所述第一绝缘蚀刻停止层上的第一电介质层；完全设置在所述第一电介质层和所述第一绝缘蚀刻停止层中的开口内的第一金属化结构，所述第一金属化结构电耦合至所述多个半导体器件中的第一半导体器件并且包括设置在第一金属过孔之上并耦合至所述第一金属过孔的第一金属布线；设置在所述第一电介质层上的第二绝缘蚀刻停止层；设置在所述第二绝缘蚀刻停止层上的第二电介质层；完全设置在所述第二电介质层和所述第二绝缘蚀刻停止层中的开口内的第二金属化结构，所述第二金属化结构电耦合至所述第一金属化结构并且包括设置在第二金属过孔之上并耦合至所述第二金属过孔的第二金属布线；以及完全设置在所述第一绝缘蚀刻停止层和所述第二绝缘蚀刻停止层以及所述第一电介质层和所述第二电介质层中的开口内的金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器，所述MIM电容器在横向上邻近所述第一金属化结构的所述第一金属布线和所述第一过孔，且在横向上邻近所述第二金属化结构的所述第二金属布线和所述第二过孔，并电耦合至所述多个半导体器件中的第二半导体器件。