[发明专利]具有非松弛应变通道的场效应晶体管

摘要

本发明涉及具有非松弛应变通道的场效应晶体管，其用于场效应晶体管的装置结构及使用硅绝缘体衬底的装置层形成此类装置结构的方法。在装置层中形成通道及隔离区。位于栅极结构下方的通道于装置层上形成并在应变下由半导体材料所构成。装置层的一部分位于隔离区与通道之间。装置层的此部分处于比通道的半导体材料中的应变更小的应变下。

主权项

一种使用硅绝缘体衬底的装置层形成的装置结构，该装置结构包含：位在该装置层上的栅极结构；位在该装置层中的通道，该通道位于该栅极结构下方，并且该通道由半导体材料在应变下所构成；以及位在该装置层中的第一隔离区，其中，该装置层的第一部分位于该第一隔离区与该通道之间，并且该装置层的该第一部分处于比该通道的该半导体材料中的该应变更小的应变下。