[发明专利]基板处理装置有效
| 申请号： | 201710118392.5 | 申请日： | 2017-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN107151790B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 传宝一树 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/513;H01L21/02 |
| 代理公司： | 11322 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明在进行PEALD处理的基板处理装置中，大幅地降低入射到晶片的离子的能量，抑制由离子的注入导致的对沉积膜的损伤，实施表面性状良好的成膜处理。一种基板处理装置，其对基板供给原料气体并对基板照射等离子体来进行成膜处理，上述基板处理装置包括：气密地收纳用于载置基板的载置台的处理容器；在上述处理容器内生成等离子体的等离子体源，上述等离子体源包括等离子体生成用的高频电源，上述等离子体源包括使要生成的等离子体的鞘电位降低的鞘电位降低机构。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，其对基板供给成膜用的原料气体，并反复交替地进行原料气体向基板的吸附和等离子体照射，对每个原子层进行成膜控制，所述基板处理装置的特征在于，具有：/n气密地收纳用于载置基板的载置台的处理容器；/n在所述处理容器内生成等离子体的等离子体源；/n供给所述原料气体的原料气体供给部；/n还原气体供给部，其供给H
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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