[发明专利]外延晶片的制造方法

摘要

本发明提供一种外延晶片的制造方法，前述外延晶片的制造方法包括雾度背景测量工序（S3）、相关线设定工序（S4）、外延层生长工序（S5）、校正需要与否评价工序（S6），前述雾度背景测量工序为，在前述外延生长装置（11）的外部或内部，测量外延生长前的前述量产用衬底（13）的雾度的背景，前述相关线设定工序设定向载置于基座（18）的样品衬底（12）上进行外延生长时间接测量的衬底温度和外延生长刚结束后的雾度的增量相关线，前述外延层生长工序使外延层（13a）生长，前述校正需要与否评价工序评价是否需要高温计的校正。校正需要与否评价工序包括衬底温度测量工序（S6A）、衬底温度推定工序（S6B）、进行高温计的校正的第三校正工序（S6C）。

主权项

1.一种外延晶片的制造方法，前述外延晶片的制造方法为，分别在基座（18）的上方具有上部高温计（22），及在基座（18）的下方具有下部高温计（23），基于前述两高温计（22、23），将被载置于前述基座（18）的量产用基板（13）加热，在前述衬底上生长出外延层（13a），其特征在于，具备雾度背景测量工序（S3）、相关线设定工序（S4）、外延层生长工序（S5）、校正需要与否评价工序（S6），前述雾度背景测量工序（S3）为，测量外延生长前的前述量产用衬底（13）及样品衬底（12）的雾度的背景，前述相关线设定工序（S4）为，通过在不同的温度设定的外延生长条件下进行衬底温度和雾度的增量的相关，设定相关线，前述衬底温度为，在向取代前述量产用衬底（13）而载置于基座（18）的前述样品衬底（12）上进行外延生长时，借助前述上部高温计（22）或前述下部高温计（23）进行间接测量而得到的，前述雾度的增量为，从外延生长刚结束后测量的样品用衬底（12）的雾度减去前述背景而得到的，前述外延层生长工序（S5）为，在载置于前述基座（18）的前述量产用衬底（13）的上表面上，使用前述外延生长装置，使外延层（13a）生长，前述校正需要与否评价工序（S6）为，基于前述外延生长工序（S5）的、外延生长时的前述量产用衬底（13）的温度、和外延生长刚结束后的前述量产用衬底（13）的雾度的相关关系，评价是否需要校正前述上部高温计（22）或前述下部高温计（23），前述校正需要与否评价工序（S6）包括衬底温度测量工序（S6A）、衬底温度推定工序（S6B）、第三校正工序（S6C），前述衬底温度测量工序（S6A）为，在向前述量产用衬底（13）上进行外延生长时，借助前述上部高温计（22）或前述下部高温计（23）间接测量衬底温度Tx，前述衬底温度推定工序（S6B）为，将前述外延生长刚结束后测量的量产用衬底（13）的雾度代入前述相关线，推定向前述量产用衬底（13）上进行外延生长时的衬底温度Ty，前述第三校正工序（S6C）为，在从在外延生长时由前述上部高温计（22）或前述下部高温计（23）测量的衬底温度Tx，减去外延生长时的被推定的衬底温度Ty的值的绝对值即｜Tx－Ty｜的值（θ）超过既定的值的情况下，进行以下校正，使前述上部高温计（22）或前述下部高温计（23）的测量温度Tx为前述推定温度Ty的±5℃以内。