[发明专利]外延晶片的制造方法

权利要求书

1.一种外延晶片的制造方法，前述外延晶片的制造方法为，分别在基座（18）的上方具有上部高温计（22），及在基座（18）的下方具有下部高温计（23），基于前述两高温计（22、23），将被载置于前述基座（18）的量产用衬底（13）加热，在前述衬底上生长出外延层（13a），其特征在于，

具备雾度背景测量工序（S3）、相关线设定工序（S4）、外延层生长工序（S5）、校正需要与否评价工序（S6），

前述雾度背景测量工序（S3）为，测量外延生长前的前述量产用衬底（13）及样品衬底（12）的雾度的背景，

前述相关线设定工序（S4）为，通过在不同的温度设定的外延生长条件下进行衬底温度和雾度的增量的相关，设定相关线，前述衬底温度为，在向取代前述量产用衬底（13）而载置于基座（18）的前述样品衬底（12）上进行外延生长时，借助前述上部高温计（22）或前述下部高温计（23）进行间接测量而得到的，前述雾度的增量为，从外延生长刚结束后测量的样品用衬底（12）的雾度减去前述背景而得到的，

前述外延层生长工序（S5）为，在载置于前述基座（18）的前述量产用衬底（13）的上表面上，使用前述外延生长装置，使外延层（13a）生长，

前述校正需要与否评价工序（S6）为，基于前述外延层生长工序（S5）的、外延生长时的前述量产用衬底（13）的温度、和外延生长刚结束后的前述量产用衬底（13）的雾度的相关关系，评价是否需要校正前述上部高温计（22）或前述下部高温计（23），

前述校正需要与否评价工序（S6）包括衬底温度测量工序（S6A）、衬底温度推定工序（S6B）、第三校正工序（S6C），

前述衬底温度测量工序（S6A）为，在向前述量产用衬底（13）上进行外延生长时，借助前述上部高温计（22）或前述下部高温计（23）间接测量衬底温度Tx，

前述衬底温度推定工序（S6B）为，将前述外延生长刚结束后测量的量产用衬底（13）的雾度代入前述相关线，推定向前述量产用衬底（13）上进行外延生长时的衬底温度Ty，

前述第三校正工序（S6C）为，在从在外延生长时由前述上部高温计（22）或前述下部高温计（23）测量的衬底温度Tx，减去外延生长时的被推定的衬底温度Ty的值的绝对值即｜Tx－Ty｜的值（θ）超过既定的值的情况下，进行以下校正，使前述上部高温计（22）或前述下部高温计（23）的测量温度Tx为前述推定温度Ty的±5℃以内，

还具备硅附着监视工序（S7），前述硅附着监视工序（S7）在前述外延层生长工序（S5）之后，借助前述上部高温计（22）及前述下部高温计（23）二者测量衬底温度Tx，判断借助前述上部高温计（22）被测量的衬底温度Txu和借助前述下部高温计（23）被测量的衬底温度Txl的差的绝对值即｜Txu－Txl｜是否为±5℃以内。

2.如权利要求1所述的外延晶片的制造方法，其特征在于，

还具备在前述相关线设定工序（S4）前进行的第一校正工序（S1）及第二校正工序（S2），

在前述第一校正工序（S1）中，将前述上部高温计（22）及前述下部高温计（23）的一方校正为被热电偶（26）测量的温度的±5℃以内，前述热电偶（26）被安装于取代前述基座（18）而预先设置的温度校正用基座（17），

在前述第二校正工序（S2）中，将前述上部高温计（22）及前述下部高温计（23）的另一方的测量值校正为，前述上部高温计（22）及前述下部高温计（23）的一方的被校正的值的±5℃以内。

3.如权利要求1或2所述的外延晶片的制造方法，其特征在于，

在前述相关线设定工序（S4）中，借助前述下部高温计（23），间接测量外延生长时的前述样品衬底（12）的温度，

在前述衬底温度测量工序（S6A）中，借助前述下部高温计（23），间接测量衬底温度Tx。

4.如权利要求1或2所述的外延晶片的制造方法，其特征在于，

利用激光表面检测装置，分别测量外延生长刚结束后的样品用衬底（12）的雾度和外延生长刚结束后的量产用衬底（13）的雾度。

5.如权利要求1或2所述的外延晶片的制造方法，其特征在于，

在前述第三校正工序（S6C）中，在从在外延生长时借助前述上部高温计（22）或前述下部高温计（23）测量的衬底温度Tx，减去外延生长时的被推定的衬底温度Ty的值的绝对值即｜Tx－Ty｜的值（θ）超过5℃的情况下，进行以下校正，使前述上部高温计（22）的测量温度Tx为前述推定温度Ty的±5℃以内。