[发明专利]外延晶片的制造方法

说明书

本发明提供一种外延晶片的制造方法，前述外延晶片的制造方法包括雾度背景测量工序（S3）、相关线设定工序（S4）、外延层生长工序（S5）、校正需要与否评价工序（S6），前述雾度背景测量工序为，在前述外延生长装置（11）的外部或内部，测量外延生长前的前述量产用衬底（13）的雾度的背景，前述相关线设定工序设定向载置于基座（18）的样品衬底（12）上进行外延生长时间接测量的衬底温度和外延生长刚结束后的雾度的增量相关线，前述外延层生长工序使外延层（13a）生长，前述校正需要与否评价工序评价是否需要高温计的校正。校正需要与否评价工序包括衬底温度测量工序（S6A）、衬底温度推定工序（S6B）、进行高温计的校正的第三校正工序（S6C）。

技术领域

本发明涉及使用外延生长装置来在衬底上使外延层生长的外延晶片的制造方法。

背景技术

以往，公开有以下晶片处理方法，借助加热机构将外延生长装置的处理腔内加热，向该被加热的处理腔内输送衬底，进而输送中控制基于加热机构的加热，使得为了防止衬底的翘曲，使衬底的正面和背面之间的温度差变小（例如，参照专利文献1。）。在该晶片处理方法中，加热机构是被配置于处理腔的上部及下部的卤素灯，借助高温计测量被该卤素灯加热的处理腔内的衬底和支承该衬底的基座的表面温度。具体地，高温计构成为，接受来自处理腔内的衬底和基座的热辐射能来测量它们的表面温度。此外，为了向处理腔输送衬底，使用输送机器人和升降机构等。

在这样组成的晶片处理方法中，基于高温计的检测输出控制卤素灯，即控制卤素灯的加热，使得输送中的衬底的正面及背面间的温度差变小，所以能够防止在向处理腔输送衬底时，在被输送机器人或升降机构等支承的衬底上产生翘曲。

专利文献1：日本特开2000－269137号公报（A）（权利要求4、0016段～0022段、0037段、图1）。

但是，在前述现有的专利文献1所示的晶片处理方法中，使用作为辐射温度计的高温计，由于该辐射温度计的特性上的理由，即由于利用红外能和会因为外部因素而变动的辐射率来计算温度这样的理由，辐射温度计的间接测量温度随着时间变化，与实际的衬底温度有偏差，所以需要定期地使用安装有热电偶的基座来直接测量处理腔内的衬底温度，来校正辐射温度计。有以下问题，该辐射温度计的校正需要极多的时间（2～3日），所以不能每次都进行外延生长处理后的辐射温度计的校正，此外，该辐射温度计的校正作业中不能在量产用衬底上使外延层生长。因此，例如仅在两年一次的定期整备时、或产生使外延层生长的量产用衬底的极端的品质异常时，进行温度的确认作业或辐射温度计的校正作业，这些作业的频率变低，并且不能监视辐射温度计的间接测量温度与实际的衬底温度的偏差，所以有使外延层生长的量产用衬底的品质逐渐下降的问题。

此外，在前述现有的专利文献1所示的晶片处理方法中，将处理腔内的衬底温度分别透过石英制的透明上壁及透明下壁来借助辐射温度计间接测量，若透明上壁及透明下壁变脏，则辐射温度计的间接测量温度与实际的衬底温度有偏差，有外延衬底的品质下降的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种外延晶片的制造方法，前述外延晶片的制造方法能够，将对外延生长时的衬底温度进行间接测量的上部高温计（辐射温度计）或下部高温计在几小时的较短时间内准确地校正，由此提高使外延层生长的量产用衬底的品质。

本发明的另一目的在于提供一种外延晶片的制造方法，前述外延晶片的制造方法在实际生产的操作过程中，能够在在量产用衬底上使外延层生长的同时，监视上部高温计（辐射温度计）或下部高温计的间接测量温度与实际的衬底温度的偏差，由此能够在与设定温度非常近的温度下，在量产用衬底上实施外延生长。

本发明的又一目的在于提供一种外延晶片的制造方法，前述外延晶片的制造方法借助激光表面检测装置，分别测量外延生长刚结束后的样品用衬底的雾度和外延生长刚结束后的量产用衬底的雾度，由此能够准确地测量雾度。

为了实现前述目的，本发明具有以下方案。