[发明专利]低关断损耗双栅SOI‑LIGBT器件结构在审
| 申请号： | 201710110599.8 | 申请日： | 2017-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN106876456A | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 乔明;李路;何逸涛;杨文;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/40;H01L29/423 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232 | 代理人： | 敖欢,葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种低关断损耗双栅SOI‑LIGBT器件结构，包括从下至上依次设置的P型衬底、埋氧层二氧化硅、N型漂移区、P型阱区、N‑buffer层、氧化层；P型阱区内部上方设有两个N型源端以及P型接触区；N‑buffer层内部上方设有N型阳极区；在N型漂移区的内部设有N型埋层、和/或P型埋层；本发明使器件结构的导通电阻得到降低；在关断过程中使得VA上升的速率在P型埋层未被耗尽之前更缓慢，在P型层耗尽完全时VA剧增；在耗尽区靠近P型埋层的边界时，给在漂移区储存的空穴提供了一个良好的泄放通道，导致储存的空穴载流子排除速度加快，拖尾时间降低；基于这两个效应，本发明结构的关断损耗得到大幅度的降低。 | ||
| 搜索关键词： | 低关断 损耗 soi ligbt 器件 结构 | ||
【主权项】：
一种低关断损耗双栅SOI‑LIGBT器件结构，包括从下至上依次设置的P型衬底(9)、埋氧层二氧化硅(8)、N型漂移区(3)、设置于N型漂移区(3)内部一端的P型阱区(4)、设置于N型漂移区(3)内部另一端的N‑buffer层(2)、N型漂移区(3)上方的氧化层(10)；所述P型阱区(4)内部上方设有两个N型源端(5)、以及两个N型源端(5)之间的P型接触区(6)；所述N‑buffer层(2)内部上方设有N型阳极区(1)；所述N型源端(5)、P型接触区(6)以及N型阳极区(1)上方分别设有金属层；所述N型源端(5)和P型阱区(4)间的沟道上方是栅氧层，栅氧层上方是多晶硅(7)；其特征在于：在N型漂移区(3)的内部设有N型埋层(11)、和/或P型埋层(21)，P型埋层(21)位于N型埋层(11)下方，且所述N型埋层(11)、P型埋层(21)均没有与P型阱区(4)和N‑buffer区(2)直接连接。
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