[发明专利]磁阻元件和磁存储器有效
| 申请号： | 201710109768.6 | 申请日： | 2017-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN107845725B | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 远藤将起;大坊忠臣;大岭俊平;村山昭之;伊藤顺一 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L27/22 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 陈冠钦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及磁阻元件和磁存储器。提供可抑制绝缘不良的磁阻元件和磁存储器。根据本实施方案的磁阻元件具备第1层、第1磁性层、配置于所述第1层和所述第1磁性层之间的第2磁性层、配置于所述第1磁性层和所述第2磁性层之间的非磁性层、以及配置于至少所述第1非磁性层的侧面的绝缘层，所述第1层包含选自由Hf、Zr、Al、Cr和Mg组成的第1组中的至少一种元素、以及选自由Ta、W、Mo、Nb、Si、Ge、Be、Li、Sn、Sb和P组成的第2组中的至少一种元素，所述绝缘层包含所述第1组中的至少一种元素。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 元件 磁存储器 | ||
【主权项】：
磁阻元件，其具备第1层、第1磁性层、配置于所述第1层和所述第1磁性层之间的第2磁性层、配置于所述第1磁性层和所述第2磁性层之间的非磁性层、以及配置于至少所述非磁性层的侧面的绝缘层，所述第1层包含选自由Hf、Zr、Al、Cr和Mg组成的第1组中的至少一种元素、以及选自由Ta、W、Mo、Nb、Si、Ge、Be、Li、Sn、Sb和P组成的第2组中的至少一种元素，所述绝缘层包含所述第1组中的至少一种元素。
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