[发明专利]磁阻元件和磁存储器

权利要求书

1.磁阻元件，其具备第1层、第1磁性层、配置于所述第1层和所述第1磁性层之间的第2磁性层、配置于所述第1磁性层和所述第2磁性层之间的非磁性层、以及配置于至少所述非磁性层的侧面的绝缘层，

所述第1层包含选自由Hf、Zr、Al、Cr和Mg组成的第1组中的至少一种元素、以及选自由Ta、W、Mo、Nb、Si、Ge、Be、Li、Sn、Sb和P组成的第2组中的至少一种元素，

所述第1层具有第1区域以及位于所述第1区域和所述第2磁性层之间的第2区域，所述第2组中的至少一种元素在第2区域中具有高于所述第1区域的浓度，

所述绝缘层包含所述第1组中的至少一种元素。

2.磁阻元件，其具备包含选自由Hf、Zr、Al、Cr和Mg组成的第1组中的至少一种元素、以及选自由Ta、W、Mo、Nb、Si、Ge、Be、Li、Sn、Sb和P组成的第2组中的至少一种元素的第1层、

第1磁性层、

配置于所述第1层和所述第1磁性层之间的第2磁性层、

配置于所述第1磁性层和所述第2磁性层之间的非磁性层、

配置于至少所述非磁性层的侧面且包含所述第1组中的至少一种元素的绝缘层、以及

配置于所述第1层和所述第2磁性层之间且包含Hf、Zr、Al、Cr和Mg中的至少一种元素或包含Ru、Pt、Pd、Mo、W和Ti中的至少一种元素的第2层，

所述第2磁性层具备第3磁性层、配置于所述第3磁性层和所述非磁性层之间的第4磁性层、以及配置于所述第3磁性层和所述第4磁性层之间的第3层，所述第3磁性层包含含Fe或MnGa的L1₀结构的合金、含Co的人工晶格、CoCrPt、DO₂₂结构的MnGa合金、以及稀土磁性化合物中的至少一者，所述第3层包含B、Zr、Hf、Ta、Nb、Mo、W、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Cu、Ru、Ag、Mg和稀土元素中的至少一种元素。

3.磁阻元件，其具备包含选自由Hf、Zr、Al、Cr和Mg组成的第1组中的至少一种元素、以及选自由Ta、W、Mo、Nb、Si、Ge、Be、Li、Sn、Sb和P组成的第2组中的至少一种元素的第1层、

第1磁性层、

配置于所述第1层和所述第1磁性层之间的第2磁性层、

配置于所述第1磁性层和所述第2磁性层之间的非磁性层、

配置于至少所述非磁性层的侧面且包含所述第1组中的至少一种元素的绝缘层、以及

配置于所述第1层和所述第2磁性层之间且包含Hf、Zr、Al、Cr、Ti、Sc和Mg中的至少一种元素的氮化物的第2层，

所述第2磁性层具备第3磁性层、配置于所述第3磁性层和所述非磁性层之间的第4磁性层、以及配置于所述第3磁性层和所述第4磁性层之间的第3层，所述第3磁性层包含含Fe或MnGa的L1₀结构的合金、含Co的人工晶格、CoCrPt、DO₂₂结构的MnGa合金、以及稀土磁性化合物中的至少一者，所述第3层包含B、Zr、Hf、Ta、Nb、Mo、W、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Cu、Ru、Ag、Mg和稀土元素中的至少一种元素。

4.权利要求2或3所述的磁阻元件，其中，所述第1层包含所述第1组中的至少一种元素和所述第2组中的至少一种元素的合金。

5.权利要求2或3所述的磁阻元件，其中，所述第1层具有第1区域以及位于所述第1区域和所述第2磁性层之间的第2区域，所述第2组中的至少一种元素在第2区域中具有高于所述第1区域的浓度。

6.权利要求2或3所述的磁阻元件，其中，所述第1层具有将包含所述第1组中的至少一种元素的第4层和包含所述第2组中的至少一种元素的第5层层叠了的层叠结构。