[发明专利]二硫化钨/氧化石墨烯复合材料、其制备方法与应用有效
| 申请号： | 201710103281.7 | 申请日： | 2017-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN108428565B | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 王元斐;秦禄昌;田天;陈友虎;李云朋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01G11/86 | 分类号： | H01G11/86;H01G11/36;H01G11/30;H01G11/24 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二硫化钨/氧化石墨烯复合材料，包括二硫化钨纳米片和氧化石墨烯，并且所述二硫化钨纳米片穿插于氧化石墨烯的片层之间。优选的，所述二硫化钨纳米片与氧化石墨烯互相穿插复合。本发明还公开了制备所述二硫化钨/氧化石墨烯复合材料的方法以及所述二硫化钨/氧化石墨烯复合材料的用途，例如在制备电极材料、超级电容器中的用途。本发明利用二硫化钨纳米片与氧化石墨烯这两种二维材料层间不同的范德瓦耳斯力，使之相互插层，从而降低各自的团聚效应，进而能够增加其分散性，使其能够作为制备超级电容器或电池等器件，特别是此类器件的电极的优良材料。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化石墨烯 二硫化钨 复合材料 纳米片 制备 超级电容器 穿插 范德瓦耳斯力 制备电极材料 二维材料 优良材料 分散性 电极 层间 插层 片层 优选 电池 团聚 复合 应用 | ||
【主权项】：
1.一种二硫化钨/氧化石墨烯复合材料的制备方法，其特征在于包括：采用hummers法制备氧化石墨烯；在温度为0℃的条件下，将二硫化钨粉体和硝酸钠的均匀混合物与浓硫酸混合反应，之后加入高锰酸钾继续反应，获得第一反应混合物；其后，在室温下依次向第一反应混合物中加入去离子水、过氧化氢继续反应，形成第二反应混合物；从第二反应混合物中分离获得二硫化钨纳米片的均匀分散液；将所述二硫化钨纳米片与所述氧化石墨烯在水相体系中混合，形成所述二硫化钨/氧化石墨烯复合材料。
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