[发明专利]一种FPGA中双端口SRAM阵列的内建自测和修复系统及其方法有效
| 申请号： | 201710099765.9 | 申请日： | 2017-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN108511029B | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 张伟国;俞军;方刘禄;俞剑;刘跃智;张爱丽 | 申请（专利权）人： | 上海复旦微电子集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/44 | 分类号： | G11C29/44 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 周乃鑫;朱成之 |
| 地址： | 200433 上海市杨*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种FPGA中双端口SRAM阵列的内建自测和修复系统，包含：检测模块，用于获取内建自测过程的开始信号；自测试模块，包含：测试波形产生单元，用于产生不同的测试波形及读写控制信号；故障检测单元，用于比较从SRAM阵列的端口中读出的数据与预期数据，若不一致，则产生故障指示信号；存储单元，用于记录读出的数据、预期数据以及读出的数据与预期数据的对比结果；切换单元，用于切换测试的端口；还包含自修复模块，用于根据故障指示信号及对比结果对SRAM阵列进行修复。本发明还公开了一种内建自测和修复方法。本发明将双端口SRAM阵列配置成A端口写B端口读或者B端口写A端口读来测试，保证测试故障覆盖率高，并且测试和修复的效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 fpga 端口 sram 阵列 自测 修复 系统 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种FPGA中双端口SRAM阵列的内建自测和修复系统，其特征在于，包含：检测模块，用于获取内建自测过程的开始信号；自测试模块，所述的自测试模块内包含：测试波形产生单元，与所述的检测模块连接，用于根据内建自测过程的开始信号以产生不同的测试波形及读写控制信号；故障检测单元，与所述的测试波形产生单元连接，用于比较从SRAM阵列的端口中读出的数据与预期数据，若不一致，则产生故障指示信号；存储单元，与所述的故障检测单元连接，用于记录从SRAM阵列的端口中读出的数据、预期数据以及读出的数据与预期数据的对比结果；切换单元，与所述的测试波形产生单元连接，用于切换测试的端口；所述的内建自测和修复系统还包含自修复模块，分别与所述的故障检测单元及存储单元连接，用于根据故障指示信号及读出的数据与预期数据的对比结果对SRAM阵列进行修复。
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