[发明专利]IGBT的终端结构、IGBT器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201710094873.7 | 申请日： | 2017-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN108461541A | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 刘剑 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L25/16;H01L21/50;H01L21/331 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 王莉莉 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及IGBT的终端结构、IGBT器件及其制造方法。IGBT的终端结构依次包括：主结、一个或多个终端环、以及截止环，所述终端结构还包括电阻性元件，所述电阻性元件电连接在所述主结、所述一个或多个终端环和所述截止环中相邻的二者之间。采用本发明所述的终端结构，可以设置终端结构中的各个终端环之间的电势差，使得主结和截止环之间的横向电压均匀等分到各个终端环上，从而保证整个终端结构的电场峰值均匀分布，有效地缩小IGBT终端结构区域的面积，降低IGBT封装的成本同时大幅提高器件的可靠性要求。 | ||
| 搜索关键词： | 终端结构 主结 电阻性元件 多个终端 截止环 终端 可靠性要求 电场 横向电压 电连接 电势差 有效地 制造 截止 保证 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的终端结构，依次包括：主结、一个或多个终端环、以及截止环，所述终端结构还包括电阻性元件，所述电阻性元件电连接在所述主结、所述一个或多个终端环和所述截止环中相邻的二者之间。
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