[发明专利]IGBT的终端结构、IGBT器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201710094873.7 | 申请日： | 2017-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN108461541A | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 刘剑 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L25/16;H01L21/50;H01L21/331 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 王莉莉 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 终端结构 主结 电阻性元件 多个终端 截止环 终端 可靠性要求 电场 横向电压 电连接 电势差 有效地 制造 截止 保证 | ||
1.一种绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的终端结构，依次包括：主结、一个或多个终端环、以及截止环，
所述终端结构还包括电阻性元件，所述电阻性元件电连接在所述主结、所述一个或多个终端环和所述截止环中相邻的二者之间。
2.根据权利要求1所述的终端结构，其中所述电阻性元件具有一定的电阻值分布，以使得所述主结和所述截止环之间的电压均匀分布到所述一个或多个终端环上。
3.根据权利要求2所述的终端结构，其中所述电阻性元件包括单个电阻器，通过调整所述一个或多个终端环连接到所述电阻器上的位置，以使得所述主结和所述截止环之间的电压均匀分布到所述一个或多个终端环上。
4.根据权利要求2所述的终端结构，其中所述电阻性元件包括分别电连接在所述主结、所述一个或多个终端环和所述截止环中相邻的二者之间的多个电阻器，通过调整所述多个电阻器的电阻值，以使得所述主结和所述截止环之间的电压均匀分布到所述一个或多个终端环上。
5.根据权利要求3或4所述的终端结构，其中所述电阻器是具有均匀结构的电阻器以使得：在IGBT正常工作时，所述主结和所述截止环之间的电压均匀分布在所述电阻器上。
6.根据权利要求1所述的终端结构，其中所述多个终端环具有相同的结构且相邻的两个终端环之间的间距相等。
7.根据权利要求1所述的终端结构，其中所述电阻性元件包括高阻值电阻器，所述高阻值电阻器具有足够高的电阻值以使得：在IGBT正常工作时，流过所述高阻值电阻器的电流小于IGBT的静态漏电电流。
8.根据权利要求1所述的终端结构，其中所述电阻性元件设置在IGBT的封装外部。
9.根据权利要求1所述的终端结构，其中所述电阻性元件设置在IGBT的封装内部。
10.根据权利要求1所述的终端结构，其中所述电连接是通过金属连线或者通过键合的方式进行的。
11.一种绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件，包括元胞区和权利要求1-10中任一项所述的终端结构。
12.一种制造绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的终端结构的方法，包括：
制作主结、一个或多个终端环、以及截止环；以及
将电阻性元件电连接在所述主结、所述一个或多个终端环和所述截止环中相邻的二者之间。
13.根据权利要求12所述的方法，还包括：选择具有一定的电阻值分布的所述电阻性元件，以使得所述主结和所述截止环之间的电压均匀分布到所述一个或多个终端环上。
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述电阻性元件包括一个电阻器，
所述方法还包括：调整所述一个或多个终端环连接到所述电阻器上的位置，以使得所述主结和所述截止环之间的电压均匀分布到所述一个或多个终端环上。
15.根据权利要求13所述的方法，其中所述电阻性元件包括分别电连接在所述主结、所述一个或多个终端环和所述截止环中相邻的二者之间的多个电阻器，
所述方法还包括：调整所述多个电阻器的电阻值，以使得所述主结和所述截止环之间的电压均匀分布到所述一个或多个终端环上。
16.根据权利要求14或15所述的方法，还包括：选择具有均匀结构的电阻器以使得在IGBT正常工作时，所述主结和所述截止环之间的电压均匀分布在所述电阻器上。
17.根据权利要求12所述的方法，其中制作所述多个终端环包括：制作结构相同且相邻的两个终端环之间的间距相等的所述多个终端环。
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