[发明专利]一种三维存储器读出电路及读出方法有效

专利信息
申请号: 201710092925.7 申请日: 2017-02-21
公开(公告)号: CN106875963B 公开(公告)日: 2019-05-14
发明(设计)人: 雷宇;陈后鹏;宋志棠 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: G11C5/02 分类号: G11C5/02;G11C7/06;G11C7/10
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 余明伟
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种三维存储器读出电路及读出方法,包括:读参考电路,产生一个可以快速区分读低阻态单元电流和读高阻态单元电流的读参考电流;以及灵敏放大器。读参考电路包括参考单元、位线匹配模块、字线匹配模块和传输门寄生参数匹配模块。本发明针对三维存储器在平面和垂直方向的寄生效应和漏电,在读参考电流中引入对位线寄生参数、漏电和传输门寄生参数的匹配,在读电流中引入对电流镜寄生参数的匹配,消除了伪读取现象,减小了读出时间;且适用范围广、读出正确率高。
搜索关键词: 一种 三维 存储器 读出 电路 方法
【主权项】:
1.一种三维存储器读出电路,其特征在于,所述三维存储器读出电路至少包括:三维存储单元阵列,包括至少一个三维存储单元子阵列以及与所述三维存储单元子阵列对应的多个灵敏放大器,所述三维存储单元阵列中各位线分别通过传输门与对应的灵敏放大器连接;所述灵敏放大器连接读参考电路及对应的存储单元,将读参考电流与被选中的存储单元中读出的电流相比较,以产生被选中的存储单元的读出电压信号;读参考电路,用于产生读参考电压或读参考电流,包括:参考单元、位线驱动模块、字线驱动模块、位线匹配模块、传输门寄生参数匹配模块以及第一钳位管;其中,所述参考单元连接于参考字线与参考位线之间,用于提供参考电阻值;所述位线驱动模块连接于所述参考位线的输入端,用于驱动所述参考位线,当不选中所述参考单元时,所述参考位线连接不选位线;所述字线驱动模块连接于所述参考字线的输入端,用于驱动所述参考字线,当不选中所述参考单元时,所述参考字线连接不选字线;所述位线匹配模块连接于所述参考位线与所述不选字线之间,用于提供位线寄生参数和漏电,以匹配所述三维存储单元阵列中的位线寄生参数和位线上存储单元的漏电;所述传输门寄生参数匹配模块连接于所述参考位线与所述第一钳位管的源端之间,用于提供传输门寄生参数以匹配所述三维存储单元阵列中的传输门寄生参数;所述第一钳位管根据所述参考电阻值、所述位线匹配模块提供的位线寄生参数和漏电及所述传输门寄生参数匹配模块提供的传输门寄生参数,得到读参考电流。
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