[发明专利]钙钛矿复合结构在审
| 申请号： | 201710092678.0 | 申请日： | 2017-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN108461632A | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 蔡明志;何羽轩 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/44 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 陶敏;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种钙钛矿复合结构，其包括吸光层以及位于吸光层外围的立体阻隔层。吸光层包括钙钛矿材料。立体阻隔层包括二维材料。本发明提供的钙钛矿复合结构在大气环境下稳定且具有高电子迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 复合结构 钙钛矿 吸光层 阻隔层 电子迁移率 钙钛矿材料 大气环境 二维材料 外围 | ||
【主权项】：
1.一种钙钛矿复合结构，其特征在于，包括：吸光层，包括钙钛矿材料；以及立体阻隔层，位于所述吸光层的外围，其中所述立体阻隔层包括二维材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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