[发明专利]一种量子点发光二极管器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201710090166.0 | 申请日： | 2017-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN108461590A | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 刘佳;曹蔚然;钱磊 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种量子点发光二极管器件及其制备方法，所述器件依次包括第一电极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层以及第二电极，其特征在于，所述电子传输层和量子点发光层之间设置有第一卤素单质层。本发明通过在电子传输层和量子点发光层之间设置第一卤素单质层，使得卤素单质可以取代电子传输层和量子点发光层表面的悬挂键和‑OH键，从而达到钝化金属氧化物表面缺陷的目的，减少了悬挂键和‑OH键对电子空穴的捕获，从而增加了激子的有效复合效率，进而提高了QLED器件的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 量子点 电子传输层 卤素单质 发光层 发光二极管器件 悬挂键 制备 发光层表面 空穴传输层 空穴注入层 氧化物表面 第二电极 第一电极 电子空穴 钝化金属 发光效率 复合效率 激子 捕获 | ||
【主权项】：
1.一种量子点发光二极管器件，依次包括第一电极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层以及第二电极，其特征在于，所述电子传输层和量子点发光层之间设置有第一卤素单质层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TCL集团股份有限公司，未经TCL集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710090166.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
