[发明专利]一种量子点发光二极管器件及其制备方法

说明书

本发明公开一种量子点发光二极管器件及其制备方法，所述器件依次包括第一电极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层以及第二电极，其特征在于，所述电子传输层和量子点发光层之间设置有第一卤素单质层。本发明通过在电子传输层和量子点发光层之间设置第一卤素单质层，使得卤素单质可以取代电子传输层和量子点发光层表面的悬挂键和‑OH键，从而达到钝化金属氧化物表面缺陷的目的，减少了悬挂键和‑OH键对电子空穴的捕获，从而增加了激子的有效复合效率，进而提高了QLED器件的发光效率。

技术领域

本发明涉及量子点技术领域，尤其涉及一种量子点发光二极管器件及其制备方法。

背景技术

半导体量子点具有尺寸可调谐的光电子性质，已经被广泛地应用于发光二极管、太阳能电池和生物荧光标记。量子点合成技术经过二十多年的发展，人们已经可以合成各种高质量的纳米材料，其光致发光效率可以达到85%以上。

由于量子点具有尺寸可调节的发光、发光线宽窄、光致发光效率高和热稳定性等特点，因此以量子点作为发光层的量子点发光二极管(QLED)是极具潜力的下一代显示和固态照明光源。量子点发光二极管（QLED）因具备高亮度、低功耗、广色域、易加工等诸多优点，近年来在照明和显示领域获得了广泛的关注与研究。

然而，由于金属氧化物在空气中表面含有大量的-OH键，当金属氧化物作为电子传输层或者电子注入层时，其表面的这些-OH键会成为激子复合的淬灭中心，从而严重影响量子点发光二极管器件的发光效率。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种量子点发光二极管器件及其制备方法，旨在解决现有的量子点发光二极管器件中，其电子传输层表面存在大量的-OH键形成了激子复合的猝灭中心，从而严重影响量子点发光二极管器件发光效率的问题。

本发明的技术方案如下：

一种量子点发光二极管器件，依次包括第一电极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层以及第二电极，其中，所述电子传输层和量子点发光层之间设置有第一卤素单质层。

较佳地，所述的量子点发光二极管器件，其中，所述卤素单质层的厚度为10-40nm。

较佳地，所述的量子点发光二极管器件，其中，所述第一卤素单质层的材料为氟、氯、溴、碘中的一种。

较佳地，所述的量子点发光二极管器件，其中，所述量子点发光二极管器件为正型器件结构，从上至下依次包括第一电极、电子传输层、第一卤素单质层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层以及第二电极；所述第一电极为阴极，第二电极为阳极。

较佳地，所述的量子点发光二极管器件，其中，所述量子点发光二极管器件为反型器件结构，从下至上依次包括第一电极、电子传输层、第一卤素单质层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层以及第二电极；所述第一电极为阴极，第二电极为阳极。

较佳地，所述的量子点发光二极管器件，其中，所述第一电极与电子传输层之间设置有第二卤素单质层。

较佳地，所述的量子点发光二极管器件，其中，所述量子点发光层的材料为II-VI族化合物、III-V族化合物、II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物或IV族单质中的一种或多种。

较佳地，所述的量子点发光二极管器件，其中，所述量子点发光层和电子传输层的厚度均为30-50nm。

较佳地，所述的量子点发光二极管器件，其中，所述空穴传输层的厚度为10-100nm。

一种量子点发光二极管器件的制备方法，其中，包括步骤：

A、在含有第一电极的衬底表面沉积电子传输层；