[发明专利]低温多晶硅背板结晶品质检测装置及其方法有效
申请号: | 201710076175.4 | 申请日: | 2017-02-13 |
公开(公告)号: | CN108074831B | 公开(公告)日: | 2020-08-14 |
发明(设计)人: | 杨富程;叶佳良;蔡伟雄;林耿立;林友崧;黄卯生 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;祁建国 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明为一种低温多晶硅背板结晶品质检测装置及其方法,该方法包括:发射窄频入射光至低温多晶硅背板;于一轴向上以第一影像撷取角度执行该低温多晶硅背板的表面各位置的影像撷取,藉以取得一衍射影像,该第一影像撷取角度为该轴向上最大衍射光强度的角度;于另一轴向上以第二影像撷取角度执行该低温多晶硅背板的表面各位置的影像撷取,藉以取得另一衍射影像,该第二影像撷取角度为该另一轴向上最大衍射光强度的角度;以及依据该衍射影像及该另一衍射影像的衍射光强分布影像,以判断该低温多晶硅背板的结晶品质。 | ||
搜索关键词: | 低温 多晶 背板 结晶 品质 检测 装置 及其 方法 | ||
【主权项】:
1.一种低温多晶硅背板结晶品质检测装置,其特征为,该装置包括:光源,其用以发射窄频入射光至低温多晶硅背板,该窄频入射光入射至该低温多晶硅背板后产生衍射光;侦测器,其用以于一轴向上以第一影像撷取角度以及于另一轴向上以第二影像撷取角度执行该低温多晶硅背板的表面各位置的影像撷取,其中,该第一影像撷取角度为该轴向上最大衍射光强度的角度,该第二影像撷取角度为该另一轴向上最大衍射光强度的角度;承载机构,其用以承载该低温多晶硅背板,且令该侦测器于该轴向上以该第一影像撷取角度撷取一衍射影像,以及于该另一轴向上以该第二影像撷取角度撷取另一衍射影像;以及处理模块,其用以依据该衍射影像及该另一衍射影像的衍射光强分布影像,以判断该低温多晶硅背板的结晶品质。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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