[发明专利]低温多晶硅背板结晶品质检测装置及其方法有效
申请号: | 201710076175.4 | 申请日: | 2017-02-13 |
公开(公告)号: | CN108074831B | 公开(公告)日: | 2020-08-14 |
发明(设计)人: | 杨富程;叶佳良;蔡伟雄;林耿立;林友崧;黄卯生 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;祁建国 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 低温 多晶 背板 结晶 品质 检测 装置 及其 方法 | ||
1.一种低温多晶硅背板结晶品质检测装置,其特征为,该装置包括:
光源,其用以发射窄频入射光至低温多晶硅背板,该窄频入射光入射至该低温多晶硅背板后产生衍射光;
侦测器,其用以于一轴向上以第一影像撷取角度以及于另一轴向上以第二影像撷取角度执行该低温多晶硅背板的表面各位置的影像撷取,其中,该第一影像撷取角度为该轴向上最大衍射光强度的角度,该第二影像撷取角度为该另一轴向上最大衍射光强度的角度;
承载机构,其用以承载该低温多晶硅背板,且通过该承载机构的转动单元及移动单元改变该低温多晶硅背板的方向和位置,以令该侦测器于该轴向上以该第一影像撷取角度撷取一衍射影像,以及于该另一轴向上以该第二影像撷取角度撷取另一衍射影像;以及
处理模块,其用以依据该衍射影像及该另一衍射影像的衍射光强分布影像,以判断该低温多晶硅背板的结晶品质。
2.如权利要求1所述的低温多晶硅背板结晶品质检测装置,其特征为,该侦测器用于侦测该衍射光随着该侦测器的侦测角度的光强度变化,藉以找出最大衍射光强度的角度值,以令该最大衍射光强度的角度值为该第一影像撷取角度或该第二影像撷取角度。
3.如权利要求2所述的低温多晶硅背板结晶品质检测装置,其特征为,该侦测器以该窄频入射光照射在该低温多晶硅背板的位置为轴心进行该侦测角度的扫描,以侦测该衍射光的该光强度变化。
4.如权利要求1所述的低温多晶硅背板结晶品质检测装置,其特征为,该侦测器包括用于找出该最大衍射光强度的角度的光感测单元,以及用于影像撷取的影像撷取单元。
5.如权利要求1所述的低温多晶硅背板结晶品质检测装置,其特征为,该侦测器为线形侦测器或面形侦测器。
6.如权利要求1所述的低温多晶硅背板结晶品质检测装置,其特征为,该转动单元用以控制该承载机构的转动,以令该侦测器执行该低温多晶硅背板不同轴向上的影像撷取。
7.如权利要求1所述的低温多晶硅背板结晶品质检测装置,其特征为,该移动单元用以控制该承载机构的移动,以令该侦测器执行该低温多晶硅背板的表面各位置的影像撷取。
8.如权利要求1所述的低温多晶硅背板结晶品质检测装置,其特征为,于该轴向上及该另一轴向上执行影像撷取是以两个侦测器分别于该轴向上及该另一轴向上执行影像撷取。
9.如权利要求1所述的低温多晶硅背板结晶品质检测装置,其特征为,该窄频入射光的频谱半高宽为小于等于100纳米。
10.如权利要求9所述的低温多晶硅背板结晶品质检测装置,其特征为,该窄频入射光的频谱半高宽为小于等于10纳米。
11.如权利要求1所述的低温多晶硅背板结晶品质检测装置,其特征为,该轴向与该另一轴向为正交的两轴向。
12.如权利要求1所述的低温多晶硅背板结晶品质检测装置,其特征为,该装置更包括该侦测器于其他轴向上执行该低温多晶硅背板的影像撷取,该承载机构令该侦测器于该其他轴向上撷取其他衍射影像,以及该处理模块依据各轴向的衍射光强分布影像判断该低温多晶硅背板的结晶品质。
13.一种低温多晶硅背板结晶品质检测方法,其特征为,该方法包括:
发射窄频入射光至低温多晶硅背板;
于一轴向上以第一影像撷取角度执行该低温多晶硅背板的表面各位置的影像撷取,藉以取得一衍射影像,该第一影像撷取角度为该轴向上最大衍射光强度的角度;
于另一轴向上以第二影像撷取角度执行该低温多晶硅背板的表面各位置的影像撷取,藉以取得另一衍射影像,该第二影像撷取角度为该另一轴向上最大衍射光强度的角度;以及
依据该衍射影像及该另一衍射影像的衍射光强分布影像,以判断该低温多晶硅背板的结晶品质。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造