[发明专利]低温多晶硅背板结晶品质检测装置及其方法有效
申请号: | 201710076175.4 | 申请日: | 2017-02-13 |
公开(公告)号: | CN108074831B | 公开(公告)日: | 2020-08-14 |
发明(设计)人: | 杨富程;叶佳良;蔡伟雄;林耿立;林友崧;黄卯生 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;祁建国 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 低温 多晶 背板 结晶 品质 检测 装置 及其 方法 | ||
本发明为一种低温多晶硅背板结晶品质检测装置及其方法,该方法包括:发射窄频入射光至低温多晶硅背板;于一轴向上以第一影像撷取角度执行该低温多晶硅背板的表面各位置的影像撷取,藉以取得一衍射影像,该第一影像撷取角度为该轴向上最大衍射光强度的角度;于另一轴向上以第二影像撷取角度执行该低温多晶硅背板的表面各位置的影像撷取,藉以取得另一衍射影像,该第二影像撷取角度为该另一轴向上最大衍射光强度的角度;以及依据该衍射影像及该另一衍射影像的衍射光强分布影像,以判断该低温多晶硅背板的结晶品质。
技术领域
本发明涉及一种结晶品质检测技术,尤其涉及一种低温多晶硅背板结晶品质检测装置及其方法。
背景技术
主动式有机发光显示(Active-Matrix Organic Light-Emitting Display,AMOLED)已逐渐有潜力成为智能手机面板的主流,遂成为各国家面板业极力研发及技术突破的重心,然目前为止,AMOLED产业最大问题在于良率,良率低导致生产越多赔越多,且多数面板业者对于AMOLED生产良率仍有许多改善空间。
AMOLED主要由驱动基板、OLED发光层及上盖组成,其中,驱动基板虽然包含多种技术,但主流还是低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon,LTPS)为主。在目前的AMOLED工艺中,LTPS工艺的品质是影响AMOLED良率高低的主要阶段之一,如图1所示,为AMOLED制造流程,其中,LTPS工艺是由非晶硅材料经例如准分子激光退火法(ELA)的退火后形成多晶硅,多晶硅的载子迁移率远高于非晶硅材料,刚好适合AMOLED使用。在激光退火后,正常LTPS中晶粒呈周期性整齐排列,长得就像光栅一般,然而若LTPS背板品质不佳,则其上会有线状缺陷,即整齐排列的晶粒出现一段混乱,如图2A所示,为LTPS背板品质不佳下将会有线状缺陷产生,则以此制成的AMOLED成品,例如显示器,如图2B所示,有亮度不平均(Mura)问题。
由于LTPS废片成本仅为AMOLED成品的1%左右,举例来说,LTPS背板成本约每片数百元,但AMOLED成品成本约每片数万元,因而在进入AMOLED工艺前,若能在激光退火后先筛选掉品质不好的LTPS,即有缺陷的LTPS,此可降低AMOLED成为废片的可能,是有助于提升工艺良率。
因此,须找出一种检测LTPS背板结晶品质的检测机制,特别是,可依据LTPS结晶晶粒特性进行结晶品质检测,无需增加过多额外成本,遂将成为目前本技术领域人员极力达成的目标。
发明内容
本发明的一目的在于提出一种LTPS背板结晶品质检测装置及其方法,可判断该LTPS背板的结晶品质。
本发明的LTPS背板结晶品质检测装置,用于检测承载台上LTPS背板的结晶品质,包括:光源,其发射窄频入射光至LTPS背板,该窄频入射光入射至该LTPS背板后产生衍射光;侦测器,其于一轴向上以第一影像撷取角度以及于另一轴向上以第二影像撷取角度执行该LTPS背板的表面各位置的影像撷取,其中,该第一影像撷取角度为该轴向上最大衍射光强度的角度,该第二影像撷取角度为该另一轴向上最大衍射光强度的角度;承载机构,其用以承载该LTPS背板,且令该侦测器于该轴向上以该第一影像撷取角度撷取一衍射影像,以及于该另一轴向上以该第二影像撷取角度撷取另一衍射影像;以及处理模块,其用以依据该衍射影像及该另一衍射影像的衍射光强分布影像,以判断该LTPS背板的结晶品质。
本发明的另一目的在于提出一种LTPS背板结晶品质检测方法,包括:发射窄频入射光至LTPS背板;于一轴向上以第一影像撷取角度执行该LTPS背板的表面各位置的影像撷取,藉以取得一衍射影像,该第一影像撷取角度为该轴向上最大衍射光强度的角度;于另一轴向上以第二影像撷取角度执行该LTPS背板的表面各位置的影像撷取,藉以取得另一衍射影像,该第二影像撷取角度为该另一轴向上最大衍射光强度的角度;以及依据该衍射影像及该另一衍射影像的衍射光强分布影像,以判断该LTPS背板的结晶品质。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造