[发明专利]对改进型晶体管的源/漏延伸控制有效
| 申请号： | 201710075288.2 | 申请日： | 2011-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN107039506B | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | P·拉纳德;L·希弗伦;S·R·松库沙莱 | 申请（专利权）人： | 联华电子日本株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/165;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张浴月;金鹏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及对改进型晶体管的源/漏延伸控制。提供一种不进行晕环注入的晶体管，包括：栅极；源极区；漏极区；无掺杂外延生长的沟道层，位于所述栅极下方，并且在所述源极区与所述漏极区之间延伸；第一高掺杂层，位于所述沟道层下方，并且能够与所述沟道层共同延伸；第二高掺杂层，位于所述第一高掺杂层下方，并且能够与所述第一高掺杂层共同延伸；注入的源极/漏极延伸部，位于所述栅极下方，并且从所述源极区和所述漏极区朝向彼此延伸。本发明能够允许具有改进布局的较小晶体管的制造，允许改进型的可拉伸膜放置或源极/漏极应变工程，简化了工艺流程，并消除或极大地减少了归因于对准不良或不正确的晕环注入所致的故障。 | ||
| 搜索关键词： | 改进型 晶体管 延伸 控制 | ||
【主权项】：
一种不进行晕环注入的晶体管，包括：栅极；源极区；漏极区；无掺杂外延生长的沟道层，位于所述栅极下方，并且在所述源极区与所述漏极区之间延伸；第一高掺杂层，位于所述沟道层下方，并且能够与所述沟道层共同延伸；第二高掺杂层，位于所述第一高掺杂层下方，并且能够与所述第一高掺杂层共同延伸；注入的源极/漏极延伸部，位于所述栅极下方，并且从所述源极区和所述漏极区朝向彼此延伸。
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