[发明专利]阵列基板及其控制方法有效
申请号: | 201710074179.9 | 申请日: | 2017-02-10 |
公开(公告)号: | CN106783891B | 公开(公告)日: | 2019-09-13 |
发明(设计)人: | 李艳;高博;时凌云;孙伟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 滕一斌 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本申请公开了一种阵列基板及其控制方法,属于显示技术领域。所述阵列基板包括:衬底基板;所述衬底基板上设置有多根栅线、多根数据线、多个像素电极和多个薄膜晶体管TFT,每个所述像素电极通过一个TFT控制;其中,所述多根栅线和所述多根数据线围成阵列排布的多个像素区域,所述多个像素区域中存在至少一个目标像素区域,所述目标像素区域中设置有至少两个像素电极。本申请解决了改变亮度的方式较单一的问题,丰富了改变亮度的方式,本申请用于显示面板中的阵列基板。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 控制 方法 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括:衬底基板;所述衬底基板上设置有多根栅线、多根数据线、多个像素电极、多个薄膜晶体管TFT和n根第一控制线,每个所述像素电极通过一个TFT控制;其中,所述多根栅线和所述多根数据线围成阵列排布的多个像素区域,所述多个像素区域中存在至少一个目标像素区域,所述目标像素区域中设置有两个像素电极,所述至少一个目标像素区域属于n行像素区域,所述n根第一控制线与所述n行像素区域一一对应,每根所述第一控制线穿过对应的一行像素区域,所述n为大于或等于1的整数;每个所述目标像素区域对应两个TFT,所述两个TFT中的第一TFT的栅极与围成所述目标像素区域的一根栅线相连接,所述两个TFT中的第二TFT的栅极与穿过所述目标像素区域的一根第一控制线相连接,所述第一TFT的源极和漏极分别与围成所述目标像素区域的一根数据线和所述两个像素电极中的第一像素电极相连接,所述第二TFT的源极和漏极分别与所述第一像素电极和所述两个像素电极中的第二像素电极相连接;或者,每个所述目标像素区域对应三个TFT,所述衬底基板上还设置有n根第二控制线,所述n根第二控制线与所述n行像素区域一一对应,每根所述第二控制线穿过对应的一行像素区域,所述三个TFT中的第一TFT的栅极与围成所述目标像素区域的一根栅线相连接,所述三个TFT中的第二TFT的栅极与穿过所述目标像素区域的一根第一控制线相连接,所述三个TFT中的第三TFT的栅极与穿过目标像素区域的一根第二控制线相连接,所述第一TFT和所述第二TFT的源极均与围成所述目标像素区域的一根数据线相连接,所述第一TFT和所述第二TFT的漏极分别与所述目标像素区域中的两个像素电极相连接,所述第三TFT的源极和漏极分别与目标像素区域中的两个像素电极相连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的