[发明专利]硅基InAs(Sb)/GaSb核壳异质结垂直纳米线阵列及其生长方法

摘要

本发明提供了一种硅基InAs(Sb)/GaSb核壳异质结垂直纳米线阵列及其生长方法。异质结垂直纳米线阵列包括Si(111)衬底；掩膜层，生长于Si(111)衬底上，掩膜层制备有纳米孔阵列；InAs(Sb)核纳米线层，由生长于Si(111)衬底上的InAs(Sb)核纳米线通过纳米孔阵列穿过掩膜层而形成；以及GaSb壳层，生长于InAs(Sb)核纳米线层上。本发明利用在掩膜层制备有纳米孔阵列，很容易实现对纳米线位置和密度的精确控制，易于后期纳米线器件的制备。

主权项

一种硅基InAs(Sb)/GaSb核壳异质结垂直纳米线阵列，其特征在于，包括：Si(111)衬底(1)；掩膜层(2)，生长于所述Si(111)衬底(1)上，所述掩膜层(2)制备有纳米孔阵列；InAs(Sb)核纳米线层(3)，由生长于所述Si(111)衬底(1)上的InAs(Sb)核纳米线通过纳米孔阵列穿过掩膜层(2)而形成；以及GaSb壳层(4)，生长于所述InAs(Sb)核纳米线(3)层上。