[发明专利]可耐受静电放电事件的高压半导体元件

摘要

本发明公开一种可耐受静电放电事件的高压半导体元件。该高压开关元件包含有一高压开关元件以及一静电放电防护元件。该高压开关元件包含有一重掺杂漏区以及数个第一条状掺杂区。该重掺杂漏区形成于一半导体基底中。该半导体基底为一第一型。该重掺杂漏区为与该第一型相反的一第二型。该多个第一条状掺杂区以一跑道图案设置，部分地围绕该重掺杂漏区。该静电放电防护元件形成于该半导体基底上，包含有一第一重掺杂区以及数个第二条状掺杂区。该第一重掺杂区为该第一型，形成于该半导体基底中，邻接于该重掺杂漏区。该多个第二条状掺杂区以另一跑道图案设置，部分地围绕该第一重掺杂区。

主权项

1.一种高压半导体元件，可耐受静电放电事件，包含有：高压开关元件，包含有：重掺杂漏区，形成于一半导体基底上，该半导体基底为一第一型，该重掺杂漏区为与该第一型相反的一第二型；重掺杂源区，为该第二型，部分地围绕该重掺杂漏区，该重掺杂源区具有一第一弯曲(arch)部，该第一弯曲部凹向一第一方向；以及控制极，可控制该重掺杂漏区与该重掺杂源区之间的电连接；静电放电防护元件，包含有：第一重掺杂区，为该第一型，形成于该半导体基底上；以及第二重掺杂区，为该第一型，部分地围绕该第一重掺杂区，具有第二弯曲部，凹向一第二方向；其中，该第一方向相反于该第二方向。