[发明专利]一种背照式图像传感器及其制造方法和电子装置有效
| 申请号： | 201710059033.7 | 申请日： | 2017-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN108346673B | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 姚国峰;陆珏;张海芳;刘煊杰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种背照式图像传感器及其制造方法和电子装置。所述方法包括：提供包括像素区的第一晶圆，所述第一晶圆包括相对设置的第一表面和第二表面；提供第二晶圆并将所述第二晶圆与所述第一晶圆的第一表面相接合；在与所述像素区相对的所述第二表面中形成若干间隔的深沟槽；在所述深沟槽中形成抗反射层。在所述方法中在所述第一晶圆的背面形成深沟槽，并在所述深沟槽中形成抗反射层，通过所述设置可以降低串扰和暗电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 背照式 图像传感器 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种背照式图像传感器的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供包括像素区的第一晶圆，所述第一晶圆包括相对设置的第一表面和第二表面；提供第二晶圆并将所述第二晶圆与所述第一晶圆的第一表面相接合；在与所述像素区相对的所述第二表面中形成若干间隔的深沟槽；在所述深沟槽中形成抗反射层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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