[发明专利]一种半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201710058604.5 | 申请日： | 2017-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN108346555A | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 许志颖 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/56;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括:提供半导体晶圆，所述半导体晶圆具有多个芯片区域以及位于所述芯片区域之间的预切割道区域；在所述半导体晶圆正面形成图形化的钝化层，所述图形化的钝化层具有若干纵横交叉的沟槽以及被所述沟槽围绕的钝化块，所述沟槽露出部分所述预切割道区域的半导体晶圆表面；在所述沟槽内形成若干阻挡结构，所述阻挡结构至少与相邻的两个所述钝化块连接；在所述钝化层上形成胶带；对所述半导体晶圆进行背面减薄；去除所述胶带。根据本发明提供的半导体器件的制作方法，通过在所述沟槽内形成若干阻挡结构，避免了后续背面减薄过程中硅粉末从沟槽侧面进入芯片中的问题，从而提高了半导体器件的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 半导体晶圆 阻挡结构 钝化层 背面减薄 芯片区域 预切割道 图形化 胶带 钝化 制作 半导体晶圆表面 半导体晶圆正面 沟槽侧面 纵横交叉 硅粉末 良率 去除 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体晶圆，所述半导体晶圆具有多个芯片区域以及位于所述芯片区域之间的预切割道区域；在所述半导体晶圆正面形成图形化的钝化层，所述图形化的钝化层具有若干纵横交叉的沟槽以及被所述沟槽围绕的钝化块，所述沟槽露出部分所述预切割道区域的半导体晶圆表面；在所述沟槽内形成若干阻挡结构，所述阻挡结构至少与相邻的两个所述钝化块连接；在所述钝化层上形成胶带；对所述半导体晶圆进行背面减薄；去除所述胶带。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
