[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201710057036.7 | 申请日： | 2017-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN107026163B | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | S.加梅里特;F.希尔勒 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/085 | 分类号： | H01L27/085;H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;杜荔南 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有沿着晶体管单元区的过渡区中的晶体管单元和超结结构的半导体器件。半导体器件包括晶体管单元区（610）和过渡区（650）。晶体管单元区（610）包括超结结构（180）的第一部分和电连接第一负载电极（310）与晶体管单元（TC）的第一源极区段（111）的第一接触结构（315）。所述第一源极区段（111）形成在第一接触结构（315）的相对侧上。过渡区（650）直接邻接于晶体管单元区（610）并包括超结结构（180）的第二部分和电连接所述第一负载电极（310）与第二源极区段（112）的第二接触结构（316）。第二源极区段（316）仅在被定向到所述晶体管单元区（610）的第二接触结构（316）的侧面处形成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：晶体管单元区（610），包括超结结构（180）的第一部分和电连接第一负载电极（310）与晶体管单元（TC）的第一源极区段（111）的第一接触结构（315），其中所述第一源极区段（111）形成在所述第一接触结构（315）的相对侧上；过渡区（650），直接邻接于所述晶体管单元区（610）并包括所述超结结构（180）的第二部分和电连接所述第一负载电极（310）与第二源极区段（112）的第二接触结构（316），其中所述第二源极区段（112）仅在被定向到所述晶体管单元区（610）的所述第二接触结构（316）的侧面处形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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