[发明专利]一种薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管以及显示器件在审
| 申请号： | 201710056822.5 | 申请日： | 2017-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN106684124A | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 张文林;杜建华 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L29/66;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司11319 | 代理人： | 赵娟 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管以及显示器件，该方法包括：在衬底基板上通过构图工艺依次形成栅电极，电极绝缘层，有源层；形成碳膜层，该碳膜层覆盖在所述有源层和所述电极绝缘层上；形成金属膜层，该金属膜层覆盖在所述碳膜层上；通过构图工艺形成源电极和漏电极，通过本发明提供的薄膜晶体管的制备方法，在制备有源层时引入一层碳膜层用以避免在源电极和漏电极制备过程中蚀刻剂对有源层的损伤，提高了有源层的制程稳定性以及TFT制程的良率，碳膜层优异的导电特性还可以实现源电极、漏电极与有源层良好的导通，还可以利用碳膜层优异的导电特性在TFT‑LCD的衬底基板上形成碳膜触控电极，以使得TFT‑LCD集成了触控功能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 制备 方法 以及 显示 器件 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：栅电极、电极绝缘层、有源层、源电极和漏电极，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括设置在所述有源层和所述源电极、漏电极之间的碳膜层。
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