[发明专利]一种碱金属元素掺杂的铜铟镓硒吸收层薄膜的制备方法在审
申请号: | 201710050313.1 | 申请日: | 2017-01-23 |
公开(公告)号: | CN106816490A | 公开(公告)日: | 2017-06-09 |
发明(设计)人: | 洪瑞江;吴兆 | 申请(专利权)人: | 中山大学 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032 |
代理公司: | 广州新诺专利商标事务所有限公司44100 | 代理人: | 曹爱红 |
地址: | 510275 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明属于铜铟硒基薄膜太阳电池技术领域。具体公开碱金属元素掺杂的铜铟镓硒吸收层薄膜的制备方法,其具体步骤是(1)首先,在钠钙玻璃衬底上制作氮化硅阻挡层;(2)然后,在上述衬底上沉积背接触Mo层;(3)在上述沉积的掺有碱金属元素的背接触Mo层上叠层沉积CIG金属预制层;(4)制备碱金属元素掺杂的铜铟镓硒吸收层薄膜。该制备方法对衬底材料依赖性降低、扩散可控,工序简单易于实现,且金属预制层粗糙度小、附着性好,元素混合均匀,制得薄膜结晶性好,带隙可调性强。 | ||
搜索关键词: | 一种 碱金属 元素 掺杂 铜铟镓硒 吸收 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种碱金属元素掺杂的铜铟镓硒吸收层薄膜的制备方法,其具体步骤是:(1)首先,在钠钙玻璃衬底上制作氮化硅阻挡层;(2)然后,在上述衬底上沉积掺有碱金属元素的背接触Mo层;(3)在上述沉积的掺有碱金属元素的背接触Mo层上叠层沉积CIG金属预制层;(4)制备碱金属元素掺杂的铜铟镓硒吸收层薄膜:将上述背接触层与CIG金属预制层放入真空退火炉内,抽真空并通入保护性反应气体,在高温进行快速热硒化处理,随后停止气体供应自然降温。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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