[发明专利]一种碱金属元素掺杂的铜铟镓硒吸收层薄膜的制备方法在审

专利信息
申请号: 201710050313.1 申请日: 2017-01-23
公开(公告)号: CN106816490A 公开(公告)日: 2017-06-09
发明(设计)人: 洪瑞江;吴兆 申请(专利权)人: 中山大学
主分类号: H01L31/032 分类号: H01L31/032
代理公司: 广州新诺专利商标事务所有限公司44100 代理人: 曹爱红
地址: 510275 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明属于铜铟硒基薄膜太阳电池技术领域。具体公开碱金属元素掺杂的铜铟镓硒吸收层薄膜的制备方法,其具体步骤是(1)首先,在钠钙玻璃衬底上制作氮化硅阻挡层;(2)然后,在上述衬底上沉积背接触Mo层;(3)在上述沉积的掺有碱金属元素的背接触Mo层上叠层沉积CIG金属预制层;(4)制备碱金属元素掺杂的铜铟镓硒吸收层薄膜。该制备方法对衬底材料依赖性降低、扩散可控,工序简单易于实现,且金属预制层粗糙度小、附着性好,元素混合均匀,制得薄膜结晶性好,带隙可调性强。
搜索关键词: 一种 碱金属 元素 掺杂 铜铟镓硒 吸收 薄膜 制备 方法
【主权项】:
一种碱金属元素掺杂的铜铟镓硒吸收层薄膜的制备方法,其具体步骤是:(1)首先,在钠钙玻璃衬底上制作氮化硅阻挡层;(2)然后,在上述衬底上沉积掺有碱金属元素的背接触Mo层;(3)在上述沉积的掺有碱金属元素的背接触Mo层上叠层沉积CIG金属预制层;(4)制备碱金属元素掺杂的铜铟镓硒吸收层薄膜:将上述背接触层与CIG金属预制层放入真空退火炉内,抽真空并通入保护性反应气体,在高温进行快速热硒化处理,随后停止气体供应自然降温。
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