[发明专利]一种基于低频阻抗分析仪的测量薄膜磁极化率测量方法在审
| 申请号： | 201710045237.5 | 申请日： | 2017-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN106841316A | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 孙剑飞;范凤国;张韬敏;王鹏;马思雨;顾宁 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G01N27/02 | 分类号： | G01N27/02;G01N1/28 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)32249 | 代理人： | 陈国强 |
| 地址： | 211189 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于低频阻抗分析仪的测量薄膜磁极化率的方法，通过低频阻抗分析仪在变频下测量无磁性薄膜的阻抗，推导出电极化率；然后通过低频阻抗分析仪在变频下测量磁性薄膜的阻抗，利用上述步骤得到的电极化率推导出相应复数磁极化率。本发明基于低频阻抗分析仪和经典电磁学磁极化率公式，通过测量无磁性的α‑Fe2O3薄膜确定测量常数项，根据推导公式求解复数磁极化率。本发明方法同时可以应用到其它磁性薄膜材料，该方法简单易行，具有一定的工程应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 低频 阻抗 分析 测量 薄膜 磁极 测量方法 | ||
【主权项】：
一种基于低频阻抗分析仪的测量薄膜磁极化率的方法，其特征在于：通过低频阻抗分析仪在变频下测量无磁性薄膜的阻抗，推导出电极化率；然后通过低频阻抗分析仪在变频下测量磁性薄膜的阻抗，利用上述步骤得到的电极化率推导出相应复数磁极化率。
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