[发明专利]一种基于低频阻抗分析仪的测量薄膜磁极化率测量方法

权利要求书

1.一种基于低频阻抗分析仪的测量薄膜磁极化率的方法，其特征在于：通过低频阻抗分析仪在变频下测量无磁性薄膜的阻抗，推导出电极化率；然后通过低频阻抗分析仪在变频下测量磁性薄膜的阻抗，利用上述步骤得到的电极化率推导出相应复数磁极化率。

2.根据权利要求1所述的基于低频阻抗分析仪的测量薄膜磁极化率的方法，其特征在于：所述磁性薄膜为磁性γ-Fe₂O₃纳米颗粒组成的薄膜，所述无磁性薄膜为α-Fe₂O₃纳米颗粒组成的薄膜。

3.根据权利要求2所述的基于低频阻抗分析仪的测量薄膜磁极化率的方法，其特征在于：所述γ-Fe₂O₃纳米颗粒和α-Fe₂O₃纳米颗粒的粒径均为10nm。

4.根据权利要求1所述的基于低频阻抗分析仪的测量薄膜磁极化率的方法，其特征在于：通过公式推导出磁性薄膜的复数磁极化率，其中，ξ表示磁性薄膜表面阻抗，μ表示磁极化率，ε表示材料的电极化率。

5.根据权利要求1所述的基于低频阻抗分析仪的测量薄膜磁极化率的方法，其特征在于：所述磁性薄膜和无磁性薄膜通过以下方法制备：

步骤1，合成裸的γ-Fe₂O₃纳米颗粒和α-Fe₂O₃纳米颗粒；

步骤2，将以上纳米颗粒通过静电吸附的方式，用层层自组装方法将纳米颗粒组装在载玻片上，组装后的薄膜厚度为300nm。