[发明专利]一种InGaN/GaN LED纳秒脉冲驱动电路

摘要

本发明公开了一种InGaN/GaN LED纳秒脉冲驱动电路，利用电流脉冲峰值技术，肖特基二极管SBD1和SBD2和电容C构成的回路会产生电流峰值，从而可以使光脉冲的上升时间缩短几个纳秒，缩短了光脉冲的上升时间；第一电感L1连接在LED阴极与偏压电源Vcc之间，在电流脉冲下降的阶段，利用电感提供的反向电流回路，产生一个下冲电流，从而可减小光脉冲的下降时间，以加速LED熄灭，大大的改善光脉冲的下降时间；高速场效应管的开关电路主要是通过增加辅助开关给主开关的寄生输出电容快速充电，来缩短主开关的关闭时间，来提高场效应管的开关速率；将LED的阳极与直流偏压Vcc相连接，这样就可以在电流脉冲到来之前给等效电容充满电，从而较有效的缩短了LED导通的延时，较大改善LED的瞬态响应时间。

主权项

1.一种InGaN/GaN LED纳秒脉冲驱动电路，其特征在于：包括高速场效应管器件高阻抗驱动电路，高速场效应管器件开关电路，脉冲信号产生模块，肖特基二极管SBD1、SBD2，第一电感L1、电容C；脉冲信号产生模块连接了高速场效应管器件高阻抗驱动电路，高速场效应管器件高阻抗驱动电路与高速场效应管器件开关电路中两个场效应管的栅极连接，高速场效应管器件开关电路包括主开关模块(S1)和辅助开关模块(S2)，主开关模块(S1)和辅助开关模块(S2)均为场效应管，两场效应管并联连接、且两场效应管漏极和源极之间均连接有二极管，电源Ed1、第一二极管D1、第二电感L2串联后连接辅助开关模块(S2)场效应管漏极，并通过场效应管漏极和源极之间的二极管与源极连接，第二二极管D2和稳压管ZD1反向串联后连接在主开关模块(S1)和辅助开关模块(S2)的两场效应管漏极之间；LED阳极与直流偏压电源Vcc相连接，LED阴极与高速场效应管器件开关电路连接，两个串联的肖特基二极管SBD1、SBD2与电容C并联连接在LED阳极和偏压电源Vcc之间；第一电感L1连接在LED阴极与偏压电源Vcc之间；脉冲信号产生模块产生一个脉冲信号，经过高速场效应管器件高阻抗驱动电路对脉冲信号进行放大输出，输出信号送入高速场效应管器件开关电路控制LED发光。