[发明专利]使用集成二极管的静电放电保护在审
申请号: | 201710038279.6 | 申请日: | 2017-01-19 |
公开(公告)号: | CN107068675A | 公开(公告)日: | 2017-08-18 |
发明(设计)人: | 赖大伟 | 申请(专利权)人: | 恩智浦有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 周泉 |
地址: | 荷兰埃*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种设备能包括第一电路,其被配置成提供相对于第一节点与第二节点之间施加的静电放电(ESD)脉冲提供静电放电保护。所述第一电路包括双极晶体管的串联堆叠,其被配置成响应于所述ESD脉冲分流所述第一和第二节点之间的电流;以及二极管,其与所述双极晶体管的堆叠串联连接,并且配置成在分流所述第一和第二节点之间的电流时降低所述第一电路的突返保持电压。 | ||
搜索关键词: | 使用 集成 二极管 静电 放电 保护 | ||
【主权项】:
一种设备,其特征在于包括:第一电路,其被配置成提供相对于第一节点与第二节点之间施加的静电放电(ESD)脉冲的ESD保护,所述第一电路包括:双极晶体管的串联堆叠,其被配置成响应于所述ESD脉冲而分流所述第一和第二节点之间的电流;以及二极管,其与所述双极晶体管堆叠串联连接,并且配置成在分流所述第一和第二节点之间的电流时降低所述第一电路的突返保持电压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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