[发明专利]使用集成二极管的静电放电保护

权利要求书

1.一种设备，其特征在于包括：

第一电路，其被配置成提供相对于第一节点与第二节点之间施加的静电放电(ESD)脉冲的ESD保护，所述第一电路包括：

双极晶体管的串联堆叠，其被配置成响应于所述ESD脉冲而分流所述第一和第二节点之间的电流；以及

二极管，其与所述双极晶体管堆叠串联连接，并且配置成在分流所述第一和第二节点之间的电流时降低所述第一电路的突返保持电压。

2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于所述串联堆叠的所述双极晶体管是PNP双极晶体管。

3.根据权利要求2所述的设备，其特征在于进一步包括导电迹线，所述导电迹线将所述二极管的阳极连接到来自所述串联堆叠的特定双极晶体管的集电极。

4.根据权利要求3所述的设备，其特征在于所述第一电路被配置成使用电流路径分流所述第一和第二节点之间的电流，所述电流路径绕过所述特定双极晶体管的发射极到集电极的结。

5.根据权利要求3所述的设备，其特征在于进一步包括P+掺杂条，所述P+掺杂条将所述特定双极晶体管的发射极与所述特定双极晶体管的基极物理上隔开，并且被配置成降低所述突返保持电压。

6.根据权利要求2所述的设备，其特征在于所述特定PNP双极晶体管占据的面积小于所述串联堆叠中的另一PNP双极晶体管的面积的一半。

7.一种用于静电放电(ESD)保护电路的方法，其特征在于所述方法包括：

在第一节点上接收ESD脉冲；

响应于所述ESD脉冲和所述ESD保护电路处在断开状态，使触发电流通过所述ESD保护电路内的触发路径，所述触发路径包括双极晶体管的串联堆叠和与所述双极晶体管的串联堆叠串联连接的二极管；

响应于所述触发电流，通过启用嵌入硅可控整流器(eSCR)组件而使所述ESD保护电路转变成接通状态，所述嵌入硅可控整流器组件包括来自所述双极晶体管的串联堆叠的特定双极晶体管与所述二极管的组合；以及

响应于转变成所述接通状态，通过所述双极晶体管的串联堆叠和所述二极管从所述ESD脉冲分流电流。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于所述触发路径包括：

穿过n型阱区域并且从所述特定双极晶体管的发射极到所述特定双极晶体管的集电极的部分，以及

将所述特定双极晶体管的所述集电极连接到所述二极管的阳极的部分。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于所述分流包括通过eSCR电流路径分流所述电流，所述eSCR电流路径穿过n型阱区域并且是从所述特定双极晶体管的发射极到阴极。

10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于进一步包括使用包围所述双极晶体管的串联堆叠的基极的P+区域防止从所述双极晶体管的串联堆叠的基极到衬底的DC崩溃。