[发明专利]等离子体处理装置有效
申请号: | 201710036715.6 | 申请日: | 2017-01-18 |
公开(公告)号: | CN106981446B | 公开(公告)日: | 2019-11-05 |
发明(设计)人: | 田中诚治;三枝直也;里吉务 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/3065 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明提供一种提高对基板的等离子体处理的均匀性的等离子体处理装置。等离子体处理装置(11)包括:将用于载置基板(G)的载置台(21)收容在内部的腔室(20);配置在腔室(20)的内部的隔板部(22);配置在隔板部(22)的上表面的高频天线(50);和配置在隔板部(22)的下表面的气体导入单元,利用由高频天线(50)形成的电场将处理气体等离子体化来对基板(G)进行等离子体处理。气体导入单元具有如下构成:将具有以长条状向与基板载置面大致正交的方向吹出处理气体的多个气体吹出孔(25b)的第1喷淋板(24a~24d)和具有以长条状向与基板载置面大致平行的方向吹出处理气体的多个气体吹出孔(55b)的第2喷淋板(54a~54d)配置成长边方向为辐射状延伸的方向的结构。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】:
1.一种等离子体处理装置,其特征在于,包括:载置台,其具有用于载置基板的基板载置面;腔室,将所述载置台收容在其内部;隔板部,其在所述腔室的内部与所述基板载置面相对配置;高频天线,其被配置在所述隔板部的上表面,通过施加高频电力而在所述基板载置面和所述隔板部之间的处理空间生成等离子体;和气体导入单元,其被配置在所述隔板部的下表面,向所述处理空间导入处理气体,所述等离子体处理装置对载置在所述载置台的基板实施利用所述等离子体进行的处理,所述气体导入单元包括:多个第1喷淋板,其具有长条状的形状,具有向所述腔室的内部且朝向与所述基板载置面正交的方向吹出所述处理气体的多个气体吹出孔;和多个第2喷淋板,其具有长条状的形状,具有向所述腔室的内部且朝向与所述基板载置面平行的方向吹出所述处理气体的多个气体吹出孔,多个所述第1喷淋板和所述第2喷淋板配置成,在从所述隔板部观看载置在所述载置台的基板时,所述第1喷淋板和所述第2喷淋板的长边方向为呈辐射状延伸的方向。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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