[发明专利]一种终端结构、半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201710029590.4 | 申请日： | 2017-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN106816463B | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 崔磊;温家良;金锐;徐哲;王耀华;高明超;赵哿;刘江;朱涛;和峰;潘艳 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种终端结构、半导体器件及其制备方法，所述终端结构包括正面终端结构，其设置在衬底的正面；正面终端结构包括多个具有第一导电类型的第一场环、多个具有第二导电类型的第二场环和多个场板；背面终端结构，其设置在衬底的背面；背面终端结构包括多个具有第一导电类型的第三场环和多个具有第二导电类型的第四场环。与现有技术相比，本发明提供的一种终端结构、半导体器件及其制备方法，可以在不改变半导体器件的芯片面积的情况下提高终端结构的击穿电压耐受能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 终端 结构 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种终端结构，其特征在于，所述终端结构包括：正面终端结构，其设置在衬底的正面；所述正面终端结构包括多个具有第一导电类型的第一场环、多个具有第二导电类型的第二场环和多个场板；背面终端结构，其设置在所述衬底的背面；所述背面终端结构包括多个具有第一导电类型的第三场环和多个具有第二导电类型的第四场环。
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