[发明专利]一种终端结构、半导体器件及其制备方法

说明书

本发明提供了一种终端结构、半导体器件及其制备方法，所述终端结构包括正面终端结构，其设置在衬底的正面；正面终端结构包括多个具有第一导电类型的第一场环、多个具有第二导电类型的第二场环和多个场板；背面终端结构，其设置在衬底的背面；背面终端结构包括多个具有第一导电类型的第三场环和多个具有第二导电类型的第四场环。与现有技术相比，本发明提供的一种终端结构、半导体器件及其制备方法，可以在不改变半导体器件的芯片面积的情况下提高终端结构的击穿电压耐受能力。

技术领域

本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种终端结构、半导体器件及其制备方法。

背景技术

半导体器件承受反偏耐压时其内部的pn结扩展延伸致表面，使表面的峰值电场高于体内，导致击穿发生在表面，同时，当碰撞电离在表面发生时，电离过程产生的热载流子易进入钝化层，在钝化层内部形成固定电荷，改变电场分布，使器件性能不稳定，可靠性下降。

目前，主要采用终端技术降低表面电场和提高终端耐压，对于垂直型半导体器件来讲，终端结构的设计主要集中在半导体器件芯片的正面，芯片的背面整体为同电位的阳极，而终端结构的耐压主要指阳极和阴极之间的电位差，由于垂直型器件芯片边缘通常不完全耗尽，因此，在芯片正表面的边缘与底部阳极同电位，随着耐压等级的提高，终端结构的尺寸逐渐增大，在芯片总面积一定的情况下，芯片通流区的面积随之减小。

发明内容

为了克服现有技术的缺陷，本发明提供了一种终端结构、半导体器件及其制备方法。

本发明中一种终端结构的技术方案是：

所述终端结构包括：

正面终端结构，其设置在衬底的正面；所述正面终端结构包括多个具有第一导电类型的第一场环、多个具有第二导电类型的第二场环和多个场板；

背面终端结构，其设置在所述衬底的背面；所述背面终端结构包括多个具有第一导电类型的第三场环和多个具有第二导电类型的第四场环。

本发明中一种半导体器件的技术方案是：

所述半导体器件包括所述的终端结构。

本发明中一种半导体器件的制备方法的技术方案是：

所述制备方法包括：

在衬底的正面形成有源区和正面终端结构；所述正面终端结构包括多个具有第一导电类型的第一场环、多个具有第二导电类型的第二场环和多个场板；

分别在所述衬底的背面形成缓冲层、阳极掺杂区和背面终端结构；所述缓冲层与有源区上下对应，所述阳极掺杂区与所述缓冲层的下表面接触，所述背面终端结构包括多个具有第一导电类型的第三场环和多个具有第二导电类型的第四场环；

在所述有源区和阳极掺杂区上分别形成正面阴极和背面阳极。

与最接近的现有技术相比，本发明的有益效果是：

1、本发明提供的一种终端结构，包括背面终端结构，该背面终端结构包括多个具有第一导电类型的第三场环和多个具有第二导电类型的第四场环，可以在不改变半导体器件的芯片面积的情况下提高终端结构的击穿电压耐受能力；

2、本发明提供的一种半导体器件，其终端结构包括正面终端结构和背面终端结构，背面终端结构包括多个具有第一导电类型的第三场环和多个具有第二导电类型的第四场环，可以在不改变半导体器件的芯片面积的情况下提高终端结构的击穿电压耐受能力，进而提高半导体器件的工作可靠性；

3、本发明提供的一种半导体器件的制备方法，通过在衬底的正面和背面分别形成终端结构，同时包括多个具有第一导电类型的第三场环和多个具有第二导电类型的第四场环，可以在不改变半导体器件的芯片面积的情况下提高终端结构的击穿电压耐受能力，进而提高半导体器件的工作可靠性。

附图说明