[发明专利]一种双面扇出型晶圆级封装方法及封装结构有效
| 申请号： | 201710025374.2 | 申请日： | 2017-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN106684006B | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 仇月东;林正忠;何志宏 | 申请（专利权）人： | 盛合晶微半导体（江阴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/60;H01L23/31;H01L23/528 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 姚艳 |
| 地址： | 214437 江苏省无锡市江阴市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种双面扇出型晶圆级封装方法及封装结构，其中，封装方法至少包括如下步骤：提供一载体，于所述载体上形成至少两个第一焊盘；于所述载体的上表面形成覆盖所述第一焊盘上表面和侧壁的重新布线层；于所述重新布线层的上表面附着第一裸片和第二裸片；于所述重新布线层的上表面形成包裹所述第一裸片和所述第二裸片的具有至少两个通孔的第一塑封层；于所述第一塑封层上形成电极凸块和钝化层；去除所述载体，以暴露所述第一焊盘的下表面；于所述第一焊盘的下表面附着第三裸片；于所述重新布线层的下表面形成包裹所述第三裸片的第二塑封层；于所述电极凸块上形成焊料球。本发明可以应用于不断增加厚度的塑封层中，对封装裸片的厚度无限制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双面 扇出型晶圆级 封装 方法 结构 | ||
【主权项】：
一种双面扇出型晶圆级封装方法，其特征在于，所述双面扇出型晶圆级封装方法至少包括如下步骤：提供一载体，于所述载体上形成至少两个第一焊盘；于所述载体的上表面形成覆盖所述第一焊盘上表面和侧壁的重新布线层；于所述重新布线层的上表面附着第一裸片和第二裸片，且所述第一裸片和所述第二裸片分别与所述重新布线层实现电性连接；于所述重新布线层的上表面形成包裹所述第一裸片和所述第二裸片的具有至少两个通孔的第一塑封层；于所述第一塑封层上形成电极凸块和钝化层，其中，所述电极凸块的一部分位于所述通孔内，另一部分位于所述钝化层内；去除所述载体，以暴露所述第一焊盘的下表面；于所述第一焊盘的下表面附着第三裸片，且所述第三裸片通过所述第一焊盘实现与所述重新布线层的电性连接；于所述重新布线层的下表面形成包裹所述第三裸片的第二塑封层；于所述电极凸块上形成焊料球。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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