[发明专利]非易失性存储器装置的操作方法有效
| 申请号： | 201710024781.1 | 申请日： | 2017-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN106981306B | 公开（公告）日： | 2023-07-07 |
| 发明（设计）人： | 任琫淳;朱相炫;郑基镐 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张帆;张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种非易失性存储器，其包括其中页缓冲器按照矩阵形式排列的页缓冲器阵列。本发明还提供了一种操作非易失性存储器的方法，其包括：根据操作模式从页缓冲器阵列的多列中选择列；对存储在包含于选择的列中的页缓冲器中的失效比特计数；以及基于失效比特的计数值计算关于第n编程状态的失效比特值。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 装置 操作方法 | ||
【主权项】：
一种操作非易失性存储器装置的方法，所述非易失性存储器装置包括页缓冲器按照矩阵形式排列的页缓冲器阵列，所述方法包括以下步骤：根据操作模式从页缓冲器阵列的多个列中选择列；对存储在选择的列中的页缓冲器中的失效比特计数；以及基于失效比特的计数值计算关于第n编程状态的失效比特值。
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