[发明专利]图像传感器有效
申请号: | 201710022739.6 | 申请日: | 2017-01-12 |
公开(公告)号: | CN107068703B | 公开(公告)日: | 2022-03-08 |
发明(设计)人: | 井原久典 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 屈玉华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种图像传感器包括包含逻辑电路的下部基板和包含像素的上部基板。提供在上部基板上的晶体管具有相同导电类型。晶体管的每个包括:提供在上部基板中的源/漏区域;提供在上部基板上的上部栅电极;以及设置在上部基板和上部栅电极之间的硅氧化物层。硅氧化物层与上部基板和上部栅电极物理接触。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 | ||
【主权项】:
一种图像传感器,包括:包括逻辑电路的下部基板;提供在所述下部基板上的互连层,所述互连层被电连接到所述逻辑电路;以及提供在所述互连层上的上部基板,所述上部基板具有像素,其中所述上部基板具有彼此相反的第一表面和第二表面,所述第一表面被如此配置使得光穿过所述第一表面到所述图像传感器中,其中提供在所述上部基板上的所有晶体管是相同导电类型的晶体管,其中所述晶体管的每个包括:提供在所述上部基板中的源/漏区域;提供在所述上部基板上的上部栅电极;以及设置在所述上部基板和所述上部栅电极之间的硅氧化物层,所述硅氧化物层与所述上部基板和所述上部栅电极接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的