[发明专利]图像传感器

权利要求书

1.一种图像传感器，包括：

包括逻辑电路的下部基板；

提供在所述下部基板上的互连层，所述互连层被电连接到所述逻辑电路；

提供在所述互连层上的上部基板，所述上部基板具有多个像素和提供在每个所述像素中的光电转换区域；

第一器件隔离图案，提供在所述上部基板中并限定所述多个像素；以及

第二器件隔离图案，提供在所述上部基板中，

其中所述上部基板具有彼此相反的第一表面和第二表面，所述第一表面被如此配置使得光穿过所述第一表面到所述图像传感器中，其中提供在所述上部基板上的所有晶体管是相同导电类型的晶体管，

其中所述晶体管的每个包括：

提供在所述上部基板中的源/漏区域；

提供在所述上部基板上的上部栅电极；以及

设置在所述上部基板和所述上部栅电极之间的硅氧化物层，所述硅氧化物层与所述上部基板和所述上部栅电极接触，

其中所述第二器件隔离图案限定在其中形成所述源/漏区域的有源区域，

其中所述第二器件隔离图案包括在平面图中与所述第一器件隔离图案重叠的第一部分，

其中所述第二器件隔离图案还包括在平面图中设置在两个晶体管之间的第二部分，所述两个晶体管设置在所述多个像素中的一个像素中，

其中所述第二器件隔离图案的所述第一部分和所述第二部分在关于所述上部基板的所述第一表面和所述第二表面的垂直方向上的深度是相同的，

其中所述光电转换区域在所述垂直方向上与所述两个晶体管和所述第二部分重叠，以及

其中所述第二器件隔离图案的所述第一部分和所述第二部分包括相同的材料。

2.如权利要求1所述的图像传感器，其中所述硅氧化物层不包括氮。

3.如权利要求1所述的图像传感器，其中所述源/漏区域包括N型掺杂剂。

4.如权利要求1所述的图像传感器，其中所述下部基板包括：

提供在所述下部基板中的源/漏部分；

关于平面图提供在所述源/漏部分之间的沟道区域上的下部栅电极；

设置在所述下部基板和所述下部栅电极之间的硅氧化物图案；以及

提供在所述硅氧化物图案和所述下部栅电极之间的硅氮化物图案。

5.如权利要求4所述的图像传感器，其中所述上部栅电极中包括的掺杂剂的导电类型与所述下部栅电极中包括的掺杂剂的导电类型相同，以及

其中硅氮化物层不被提供在所述上部基板和所述上部栅电极之间。

6.如权利要求1所述的图像传感器，其中所述晶体管的所述上部栅电极包括传输栅电极、源极跟随器栅电极、选择栅电极和复位栅电极。

7.如权利要求6所述的图像传感器，其中所述传输栅电极包括：

延伸到所述上部基板中的第一部分；以及

设置在所述上部基板的所述第二表面上并且被连接到所述传输栅电极的所述第一部分的第二部分。

8.如权利要求7所述的图像传感器，其中所述源极跟随器栅电极、所述选择栅电极和所述复位栅电极被设置在所述上部基板的所述第二表面上并且平行于所述第二表面。

9.如权利要求1所述的图像传感器，其中所述第二器件隔离图案被提供在所述第一器件隔离图案与所述上部基板的所述第二表面之间，其中所述第二器件隔离图案的侧壁从所述第一器件隔离图案的侧壁横向偏移。

10.如权利要求1所述的图像传感器，其中所述第一器件隔离图案具有邻近于所述上部基板的所述第一表面的顶表面和邻近于所述上部基板的所述第二表面的底表面，以及

其中所述第一器件隔离图案的所述顶表面的宽度小于所述第一器件隔离图案的所述底表面的宽度。

11.如权利要求10所述的图像传感器，还包括：

提供在所述第一器件隔离图案的侧壁上的掺杂隔离层。