[发明专利]一种多量子阱钙钛矿材料量子阱阱宽的调整方法及其应用和器件在审
申请号: | 201710019209.6 | 申请日: | 2017-01-11 |
公开(公告)号: | CN108305949A | 公开(公告)日: | 2018-07-20 |
发明(设计)人: | 王建浦;王娜娜;黄维;张树婷 | 申请(专利权)人: | 南京工业大学 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54 |
代理公司: | 北京恒创益佳知识产权代理事务所(普通合伙) 11556 | 代理人: | 柴淑芳 |
地址: | 210009 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种多量子阱钙钛矿材料量子阱阱宽的调整方法及其应用和器件,所述多量子阱钙钛矿材料由AX1、BX2和MX32按摩尔比a:b:c制备得到,其中,a:b:c=(1~100):(1~100):(1~100),其中A为R1‑Y+,R1‑为具有1~50个碳原子的脂族烃基、具有5~100个碳原子的脂环族烃基、具有6~100个碳原子的任取代的芳基或具有3~100个碳原子的任取代的杂环基,Y+为胺、含N杂环有机阳离子中的任意一种;B为甲胺、甲脒或金属离子;M为金属元素;X1、X2、X3为卤族元素;所述调整方法为:通过BX2含量、AX1含量的调整控制不同能隙量子阱结构的含量,从而实现量子阱阱宽的调整,BX2含量增加,窄能隙量子阱含量增加或者阱宽变宽,AX1含量增加,宽能隙量子阱含量增加或阱宽变窄;通过多量子阱阱宽的调控可实现钙钛矿发光器件效率的优化。 | ||
搜索关键词: | 量子阱 多量子阱 个碳原子 含量增加 钙钛矿材料 能隙 量子阱结构 有机阳离子 脂环族烃基 调整控制 发光器件 金属离子 金属元素 卤族元素 脂族烃基 钙钛矿 宽能隙 杂环基 变宽 变窄 芳基 甲胺 甲脒 杂环 制备 应用 按摩 调控 优化 | ||
【主权项】:
1.一种多量子阱钙钛矿材料量子阱阱宽的调整方法,其特征在于,所述多量子阱钙钛矿材料由AX1、BX2和MX32按摩尔比a:b:c制备得到,其中,a:b:c=(1~100):(1~100):(1~100),其中A为R1‑Y+,R1‑为具有1~50个碳原子的脂族烃基、具有5~100个碳原子的脂环族烃基、具有6~100个碳原子的任取代的芳基或具有3~100个碳原子的任取代的杂环基,Y+为胺、含N杂环有机阳离子中的任意一种;B为甲胺、甲脒或金属离子;M为金属元素;X1、X2、X3为卤族元素;所述调整方法为:通过BX2含量、或AX1含量调整控制不同能隙量子阱材料的含量,从而实现量子阱阱宽的调整,BX2含量增加,窄能隙量子阱含量增加或者阱宽变宽,AX1含量增加,宽能隙量子阱含量增加或者阱宽变窄;通过多量子阱阱宽的调控可实现钙钛矿发光器件效率的优化。
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H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
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