[发明专利]基于烟囱效应的半导体制冷装置在审
| 申请号： | 201710018682.2 | 申请日： | 2017-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN106766347A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 陈思韵;冯碧薇;陈育斌 | 申请（专利权）人： | 陈思韵 |
| 主分类号： | F25B21/02 | 分类号： | F25B21/02 |
| 代理公司： | 上海和跃知识产权代理事务所(普通合伙)31239 | 代理人： | 杨慧 |
| 地址： | 200127 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于烟囱效应的半导体制冷装置，包含半导体制冷片(1)、冷气对流管(3)、热气对流管(2)，半导体制冷片(1)的制冷面安装在冷气对流管(3)的顶端，半导体制冷片(1)的散热面安装在热气对流管(2)的底端，冷气对流管的顶端处和热气对流管的底端处均设有通风口。本发明利用半导体制冷片进行空气降温，再利用冷气对流管、热气对流管构造烟囱效应来改善空气对流。本发明可应用于需要局部特定制冷气流的场合，并且提高了半导体制冷片(1)在该场合的使用效率。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 烟囱 效应 半导体 制冷 装置 | ||
【主权项】：
一种基于烟囱效应的半导体制冷装置，包含半导体制冷片(1)，其特征在于还包含冷气对流管(3)、热气对流管(2)，半导体制冷片(1)的制冷面安装在冷气对流管(3)的顶端，半导体制冷片(1)的散热面安装在热气对流管(2)的底端，冷气对流管的顶端处和热气对流管的底端处均设有通风口。
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