[发明专利]具有横向耦合结构的非易失性存储单元及其阵列有效
| 申请号： | 201710001477.5 | 申请日： | 2017-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN107025936B | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 朴圣根 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C16/24;G11C16/26;G11C16/14 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 李少丹;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种非易失性存储(NVM)单元包括：选择晶体管，被配置成具有耦接到字线的选择栅极端子和耦接到源极线的源极端子；单元晶体管，被配置成具有电隔离的浮栅、耦接到位线的漏极端子、以及与选择晶体管共享的结端子；第一耦合电容器，设置在耦接于字线与浮栅之间的第一连接线中；以及P‑N二极管和第二耦合电容器，串联设置在耦接于字线与浮栅之间的第二连接线中。P‑N二极管的正极和负极分别耦接到第二耦合电容器和字线。第一连接线和第二连接线并联耦接在字线与浮栅之间。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 横向 耦合 结构 非易失性 存储 单元 及其 阵列 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储NVM单元，包括：选择晶体管，被配置成具有耦接到字线的选择栅极端子和耦接到源极线的源极端子；单元晶体管，被配置成具有电隔离的浮栅、耦接到位线的漏极端子，且与选择晶体管共享结端子；第一耦合电容器，设置在耦接于字线与浮栅之间的第一连接线中；以及P‑N二极管和第二耦合电容器，串联设置在耦接于字线与浮栅之间的第二连接线中，其中，P‑N二极管的正极和负极分别耦接到第二耦合电容器和字线，以及其中，所述第一连接线和所述第二连接线并联耦接在字线与浮栅之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710001477.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：译码方法、内存储存装置及内存控制电路单元
- 下一篇：刀（3）
